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onsemi 采用D2-PAK封装的UF3C碳化硅FET

Qorvo UF3C碳化硅FET采用D2-PAK-3L和D2-PAK-7L表面贴装封装，基于独特的共源共栅电路配置，具有出色的反向恢复性能。在共源共栅电路配置中，常开SiC JFET与Si MOSFET共同封装，形成常关型SiC FET器件。这些碳化硅FET具有低体二极管、低栅极电荷和4.8V阈值电压，可实现0V至15V驱动。这些D2-PAK碳化硅FET器件具有ESD保护功能，封装爬电距离和电气间隙为 >6.1mm。场效应晶体管的标准栅极驱动特性可直接替代Si IGBT、硅场效应晶体管、SiC MOSFET或Si超级结。它们有1200V和650V漏源击穿电压型号可供选择，非常适用于任何受控环境，如电信和服务器电源、工业电源、电机驱动器和感应加热。

特性

  • D2PAK-3L（650V 30mΩ、40mΩ和80mΩ时）
  • D2PAK-7L@ 650V 80mΩ、1200V 80mΩ和150mΩ
  • 导通电阻RDS(on) ：85mΩ（典型值）
  • 175°C最高工作温度
  • 卓越的反向恢复能力（Qrr）：140nC
  • 1.5VFSD（正向电压）低体二极管
  • 23nC低栅极电荷
  • 阈值电压：4.8VG(th)
  • >6.1mm的封装爬电和间隙距离
  • 用于优化开关性能的开尔文源极引脚
  • ESD保护

应用

  • 电信和服务器电源
  • 工业电源
  • 功率因数校正模块
  • 电机驱动器
  • 感应加热

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封装选项

资源

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物料编号 数据表 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 Pd-功率耗散
UF3C120080B7S UF3C120080B7S 数据表 1.2 kV 28.8 A 6 V 23 nC 190 W
UF3C065080B7S UF3C065080B7S 数据表 650 V 27 A 6 V 23 nC 136.4 W
UF3C065080B3 UF3C065080B3 数据表 650 V 25 A 4 V 51 nC 115 W
UF3C065030B3 UF3C065030B3 数据表 650 V 65 A 4 V 51 nC 242 W
UF3C120400B7S UF3C120400B7S 数据表 1.2 kV 5.9 A 6 V 22.5 nC 100 W
UF3C170400B7S UF3C170400B7S 数据表 1.7 kV 7.6 A 6 V 23.1 nC 100 W
UF3C120150B7S UF3C120150B7S 数据表 1.2 kV 17 A 4.4 V 25.7 nC 136 W
UF3C065040B3 UF3C065040B3 数据表 650 V 41 A 4 V 51 nC 176 W
发布日期: 2021-01-12 | 更新日期: 2025-07-15