Qorvo QPD0011 30W/60W 48V碳化硅基氮化镓HEMT
Qorvo QPD0011 30W/60W 48V碳化硅 (SiC) 基氮化镓 (GaN) HEMT（高电子迁移率晶体管）是一款非对称双路功率放大器晶体管，适合用于Doherty应用。QPD0011的频率范围为3.3GHz至3.6GHz，最大Doherty增益为13.3db。每条路径中均包含一个单级放大器晶体管。QPD0011采用Doherty配置，平均功率为15W。
Qorvo QPD0011碳化硅基氮化镓HEMT采用紧凑的7.0mm x 6.5mm DFN封装。
特性
- 工作频率范围：3.3GHz至3.6GHz
- 工作漏极电压 (VD)：+48V
- 最高Doherty峰值功率：90W（3.5GHz时）
- 最高Doherty漏极效率：48%（3.5GHz时）
- 最大Doherty增益：13.3dB（3.5GHz时）
- 饱和时输出功率 (PSAT)：49.5dBm
- 静态漏极电流 (IDQ)：65mA
- 7.0mm x 6.5mm DFN封装
- 无卤、无铅，符合RoHS指令
应用
- WCDMA和LTE
- 微蜂窝基站
- 微蜂窝基站
- 小型蜂窝
- 有源天线
- 5G大规模MIMO
- 非对称Doherty应用
开发工具
Qorvo QPF4001EVB1评估板
用于QPD0011 30w/60W 48V碳化硅基氮化镓HEMT的演示和开发平台。
发布日期: 2021-04-22
| 更新日期: 2022-03-11