Qorvo QPD1004A GaN输入匹配晶体管
Qorvo QPD1004A GaN输入匹配晶体管是一款基于碳化硅（SiC）衬底的分立式氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。该器件典型输出功率 (P3dB)为25W，具备50Ω输入阻抗匹配特性，在50V电源轨供电条件下运行，工作频率范围为30MHz至1400MHz。集成输入匹配网络可实现宽带增益与功率性能；输出端可在板级进行匹配，从而在频带内任意子频带优化输出功率与效率。Qorvo QPD1004A晶体管非常适合用于基站、雷达和通信应用，支持连续波和脉冲两种工作模式。这些设备采用行业标准的6mm x 5mm x 0.85mm表面贴装DFN封装。
特性
- 输出功率(P3dB)为25W、输入阻抗匹配特性为50Ω的分立式GaN-on-SiC HEMT。
- 在50V电源轨下运行，工作频率范围为30MHz至1400MHz
- 集成输入匹配网络
- 低热阻封装
- 连续波和脉冲功能
- 表面贴装，6mm x 5mm x 0.85mm DFN封装
- 不含SVHC和PFOS
- 无铅、无卤素/无锑、符合RoHS标准
应用
- 军用雷达
- 地面移动和军用无线电通信
- 测试仪器仪表
- 宽带或窄带放大器
- 干扰发射机
规范
- 最大击穿电压：+145 V
- 最大漏极电流：3.6A
- 最大漏极电压：55V
- 典型漏极偏置电流：50mA
- 栅极电压范围：-7V至+2V，典型值：-2.8V
- 最大栅极电流范围：7.2mA
- 最大功率耗散：27.6W，工作功耗：25W
- 最大RF输入功率：29.7dBm
- 频率范围：0.6 GHz至1.2 GHz
- 线性增益范围
- 功率调谐：18.4dB至21.2dB
- 效率调谐：18.8dB至22.6dB
- 3dB压缩下的输出功率范围
- 功率调谐：45.7dBm至46.0dBm
- 效率调谐：43.5dBm至45.0dBm
- 3dB压缩下的功率附加效率范围
- 功率调谐：59.5%至63.5%
- 效率调谐：65.0%至73.7%
- 3dB压缩下的增益范围
- 功率调谐：15.4dB至18.2dB
- 效率调谐：15.8dB至19.6dB
- 最高安装温度：+320°C，持续30s
- 工作温度范围：-40 °C至+85 °C
- 最高通道温度：+250 °C
- 潮湿敏感度等级 (MSL)：3级
- ESD额定值符合ANSI/ESD/JEDEC JS-001标准
- 250 V人体模型 (HBM)
- 1000V充电设备模型 (CDM)
功能框图
相关开发工具
Qorvo QPD1004AEVB 评估板
专为加快100MHz至1GHz频带内的设备表征和放大器原型设计而打造。
发布日期: 2026-01-13
| 更新日期: 2026-01-19