Qorvo QPD1006 GaN射频IMFET晶体管
Qorvo QPD1006 GaN射频内部匹配FET (IMFET) 晶体管是一款450W GaN SiC高电子迁移率晶体管 (HEMT)。QPD1006晶体管的工作频率范围为1.2 GHz至1.4 GHz，电源轨为50 V。此器件可支持脉冲和连续波 (CW) 操作。Qorvo QPD1006晶体管是GaN IMFET，完全匹配至50Ω，采用行业标准气腔封装。该场效应晶体管晶体管非常适合用于军事和民用雷达。
特性
- 工作频率范围：1.2 GHz至1.4 GHz
- 输出功率 (P3dB)：313W (CW) 和468W（脉冲）
- 线性增益：17.5 dB (CW) 和17.8 dB（脉冲）
- 典型DEFF3dB ：55% (CW) 和62.2%（脉冲）
- 工作电压：45 V (CW) 和50 V（脉冲）
- 低热阻封装
- 具有脉冲功能（1.3GHz和+25°C时）
应用
- 军用雷达
- 民用雷达
功能框图
特性曲线
机械尺寸
相关评估板
Qorvo QPD1006 评估板
设计用于评估QPD1006 450W碳化硅基氮化镓HEMT，工作频率范围为1.2GHz至1.4GHz。
发布日期: 2020-07-17
| 更新日期: 2024-08-22