Qorvo QPD1009和QPD1010 GaN射频晶体管
Qorvo QPD1009和QPD1010 GaN射频晶体管是一款分立式碳化硅基氮化镓HEMT，工作频率为直流至4GHz，采用Qorvo的完善QGaN25HV工艺。该工艺在高漏极偏置工作条件下通过先进的场盘技术优化电力和效率。该优化大大降低了系统成本（放大器系列更少）和热管理成本。
特性
- 频率：直流至4GHz
- QPD1009输出功率(P3dB)：17W（2GHz时）
- QPD1010输出功率 (P3dB)：11W（2GHz时）
- QPD1009线性增益：24dB（2GHz时）
- QPD1010线性增益：24.7dB（2GHz时）
- QPD1009典型PAE3dB：72%（2GHz时）
- QPD1010典型PAE3dB：70%（2GHz时）
- 工作电压：50V
- 低热阻封装
- 连续波和脉冲功能
- 3x3mm封装
应用
- 军用雷达
- 民用雷达
- 地面移动和军用无线电通信
- 测试仪器仪表
- 宽带或窄带放大器
- 干扰发射机
功能框图
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发布日期: 2016-09-28
| 更新日期: 2022-03-11