Qorvo QPD1011A GaN输入匹配晶体管
Qorvo QPD1011A GaN输入匹配晶体管是一款于碳化硅（SiC）衬底的分立式氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。该器件典型输出功率 (P3dB)为7W，具备50Ω输入阻抗匹配特性，工作频率范围为30MHz至1.2GHz。集成输入匹配网络可实现宽带增益与功率性能；输出端可在板级进行匹配，从而在频带内任意子频带优化输出功率与效率。Qorvo QPD1011A晶体管采用6mm x 5mm x 0.85mm无引线SMT封装，可为空间受限的手持式无线电设备节省PCB面积。
特性
- 输出功率 (P3dB)为7W、输入阻抗匹配特性为50Ω的分立式GaN-on-SiC HEMT
- 在50V电源轨下工作，工作频率范围为30MHz至1.2GHz
- 集成输入匹配网络
- 低热阻封装
- 连续波和脉冲功能
- 表面贴装，6mm x 5mm x 0.85mm DFN封装
- 不含SVHC和PFOS
- 无铅、无卤素/无锑、符合RoHS标准
应用
- 军用雷达
- 民用雷达
- 地面移动和军用无线电通信
- 测试仪器仪表
- 宽带或窄带放大器
- 干扰发射机
规范
- 最大击穿电压：+145 V
- 最大漏极电流：1.46A
- 漏极电压范围：12V至55V
- 典型漏极偏置电流：20mA
- 最大栅极电压范围：-7V至+2V，典型值：-2.8V
- 最大栅极电流范围：3.6mA
- 最大功率耗散：14.7W，工作功耗：10W
- 最大RF输入功率：27dBm
- 典型频率范围：0.6GHz至1.2GHz
- 线性增益范围
- 功率调谐：18.7dB至21.3dB
- 效率调谐：20.9dB至22.5dB
- 3dB压缩下的输出功率范围
- 功率调谐：39.1dBm至39.7dBm
- 效率调谐：37.3dBm至38.4dBm
- 3dB压缩下的功率附加效率范围
- 功率调谐：49.1%至59.4%
- 效率调谐：55.4%至71.6%
- 3dB压缩下的增益范围
- 功率调谐：15.7dB至18.3dB
- 效率调谐：17.9dB至19.5dB
- 最高安装温度：+320°C，持续30s
- 工作温度范围：-40 °C至+85 °C
- 最高通道温度：+250 °C
- 潮湿敏感度等级 (MSL)：3级
- ESD额定值符合ANSI/ESD/JEDEC JS-001标准
- 250 V人体模型 (HBM)
- 1000V充电设备模型 (CDM)
功能框图
相关开发工具
Qorvo QPD1011AEVB 评估板
专为加快100MHz至1GHz频带内的设备表征和放大器原型设计而打造。
发布日期: 2026-01-13
| 更新日期: 2026-01-19