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Qorvo QPD1016L GaN射频晶体管

Qorvo  QPD1016L GaN射频晶体管是一款500W  (P3dB) 预匹配分立式碳化硅基氮化镓高电子迁移率晶体管（碳化硅基氮化镓HEMT），工作频率范围为直流至1.7GHz。QPD1016L在1.3GHz时的线性增益为 18dB，在3dB压缩点的漏极效率为67%。该器件可支持脉冲和线性操作。

QPD1016L GaN射频晶体管采用行业标准气腔NI-780封装，非常适合用于IFF、航空电子、军用和民用雷达以及测试仪器仪表。QPD1016L封装包括一个耳状法兰，用于螺栓旋紧安装。

特性

  • 频率范围：直流至1.7GHz
  • 输出功率 (P3dB)：537W（1.3GHz时）
  • 线性增益：18dB（1.3GHz时）
  • 功率附加效率 (PAE)：67%（3 dB时）
  • 饱和输出功率 (PSAT)：57.3dBm
  • 漏极电压 (VD)：+50V
  • 漏极偏置电流 (IDQ)：1000mA
  • 支持CW和PWM运行
  • 工作温度范围：-40°C至+85°C
  • Eared NI-780气腔封装
  • 无卤、无铅、符合RoHS指令

应用

  • 敌友识别 (IFF)
  • 航空电子设备
  • 军用和民用雷达
  • 测试仪器

开发工具

Qorvo QPD1016LEVB01评估板

用于QPD1016L GaN射频晶体管的演示和开发平台。

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框图

框图 - Qorvo QPD1016L GaN射频晶体管

包装外形

机械图纸 - Qorvo QPD1016L GaN射频晶体管
发布日期: 2022-07-11 | 更新日期: 2022-07-14