返回Qorvo

Qorvo QPD1025L射频输入匹配晶体管

Qorvo QPD1025L射频输入匹配晶体管是一款分立式碳化硅基氮化镓 (GaN on SiC) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)，工作频率范围为1.0GHz至1.1GHz。这些晶体管具有22.5dB线性增益、1800W输出功率、65V工作电压以及脉冲和连续波功能。QPD1025L晶体管采用工业标准气腔型封装，非常适合用于IFF应答器、航空电子设备和测试仪器仪表。

特性

  • 工作频率范围：1.0GHz至1.1GHz
  • 1660W输出功率 (P3dB)1
  • 线性增益：22.9dB
  • 78.5%典型PAE3dB1
  • 工作电压：65V
  • 连续波和脉冲功能

应用

  • IFF应答器
  • 航空电子设备
  • 测试仪器仪表

QPD1025L功能框图

框图 - Qorvo QPD1025L射频输入匹配晶体管

Qorvo QPD1025L评估板

Qorvo QPD1025和QPD1025L评估板

设计用于评估QPD1025和QPD1025L射频输入匹配晶体管的特性。

Learn More关于Qorvo QPD1025和QPD1025L评估板 View Products与Qorvo QPD1025和QPD1025L评估板相关

了解详情

View Results ( 2 ) Page
物料编号 数据表 描述
QPD1025 QPD1025 数据表 GaN 场效应晶体管 1-1.1GHz 1800 Watt Gain 22.5dB 65V GaN
QPD1025L QPD1025L 数据表 GaN 场效应晶体管 1-1.1GHz 1500 Watt Gain 22.9dB 65V
发布日期: 2018-02-07 | 更新日期: 2023-01-23