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Renesas Electronics TP65H030G4Px 650 V 30mΩ GaN FET

Renesas Electronics TP65H030G4Px 650V 30mΩ氮化镓 (GaN) FET提供有TOLT、TO247和TOLL封装形式。这些GaN FET使用了Gen IV Plus SuperGaN®平台，该平台将最先进的高压GaN HEMT与低压硅MOSFET相结合，使得该平台性能优异、采用容易且可靠，成为标准驱动产品。

Renesas Electronics GaN功率半导体提供高性能高可靠性解决方案，该产品应用范围广，覆盖从25W到10kW的应用。Renesas GaN功率半导体的独特架构发挥了GaN的内在性能，并提供了多种封装选项，包括紧凑的PQFN封装、坚固的TO引线式封装以及各种表面贴装封装，封装带底侧和顶侧冷却。常关架构、广泛的封装种类以及集成的低压硅MOSFET前端，方便了与标准硅驱动器的兼容，让系统开发人员能更直接、更经济地替代GaN。

特性

  • 典型导通电阻 (RDSON)：30mΩ
  • 输出电荷 (Qoss)：127nC
  • 栅极电荷 (Qg)：22nC
  • 输出电容：Coss = 127pF，Co(er) = 183pF，Co(tr) = 339pF
  • 提供有行业标准的TOLL、TOLT（顶部冷却）和TO-247封装形式
  • 与现存的Gen IV器件相比，典型导通电阻 (RDSON) 低14%，且动态导通电阻出色
  • 与上一代相比，FOM (RDSON*Qoss) 提高了27%，从而提高了总体效率。
  • 栅极驱动器功率需求低，并兼容标准栅极驱动器
  • 优异的跨导和低电容使得在硬开关和软开关应用中性能得到提升
  • 封装种类广，方便无缝集成到各种应用程序中

应用

  • 基础设施（数据中心/服务器）、电源、UPS、电池储能系统 (BESS)、电动出行充电基础设施和太阳能逆变器
  • 单向和双向DC/DC转换器
  • 硬开关和软开关设计中电信和服务器应用的电源
  • 工业应用中的PFC和逆变器级

应用示意图

应用电路图 - Renesas Electronics TP65H030G4Px 650 V 30mΩ GaN FET

其他资源

开发工具

Renesas Electronics RTDTTP4200W066A GaN评估板

一款图腾柱PFC评估板，可实现高效的单相AC/DC转换。

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发布日期: 2025-06-25 | 更新日期: 2025-10-02