GaN 场效应晶体管

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TP65H030G4Px 650 V 30mΩ GaN FET

Renesas Electronics TP65H030G4Px 650V 30mΩ氮化镓 (GaN) FET提供有TOLT、TO247和TOLL封装形式。这些GaN FET使用了Gen IV Plus SuperGaN^®平台，该平台将最先进的高压GaN HEMT与低压硅MOSFET相结合，使得该平台性能优异、采用容易且可靠，成为标准驱动产品。

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图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	安装风格	封装 / 箱体	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	商标名	技术
GaN 场效应晶体管 650V, 30mohm GaN FET in TOLT TP65H030G4PRS-TR Renesas Electronics 1: ¥88.0948 1,794库存量新产品	制造商零件编号 TP65H030G4PRS-TR Mouser 零件编号 227-TP65H030G4PRS-TR 新产品	Renesas Electronics	GaN 场效应晶体管 650V, 30mohm GaN FET in TOLT 了解更多关于Renesas Electronics renesas tp65h030g4px gan fets 的信息	数据表	1,794库存量	剪切带 ¥88.0948 ¥48.8838 ¥46.3187 卷轴 ¥40.3636 ¥37.7985 MouseReel 提供服务支持	最低： 1 倍数： 1 : 1,300	SMD/SMT	TOLT-16	N-Channel	1 Channel	650 V	55.7 A	41 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.8 V	24.5 nC	- 55 C	+ 150 C	192 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN 场效应晶体管 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L TP65H030G4PWS Renesas Electronics 1: ¥91.982 1,060库存量新产品	制造商零件编号 TP65H030G4PWS Mouser 零件编号 227-TP65H030G4PWS 新产品	Renesas Electronics	GaN 场效应晶体管 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L 了解更多关于Renesas Electronics renesas tp65h030g4px gan fets 的信息	数据表	1,060库存量	¥91.982 ¥51.2003 ¥47.3922 ¥41.1885 查看报价	最低： 1 倍数： 1	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	650 V	55.7 A	41 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.8 V	24.5 nC	- 55 C	+ 150 C	192 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN 场效应晶体管 650V, 30mohm GaN FET in TOLL TP65H030G4PQS-TR Renesas Electronics 1: ¥87.5976 219库存量新产品	制造商零件编号 TP65H030G4PQS-TR Mouser 零件编号 227-TP65H030G4PQS-TR 新产品	Renesas Electronics	GaN 场效应晶体管 650V, 30mohm GaN FET in TOLL 了解更多关于Renesas Electronics renesas tp65h030g4px gan fets 的信息	数据表	219库存量	剪切带 ¥87.5976 ¥58.3193 ¥51.6184 ¥45.3243 ¥40.4427 卷轴 ¥37.4708 MouseReel 提供服务支持	最低： 1 倍数： 1 : 2,000	SMD/SMT	TOLL-10	N-Channel	1 Channel	650 V	55.7 A	41 mOhms		4.8 V	24.5 nC	- 55C	+ 150 C	192 W	Enhancement	SuperGaN	GaN

TP65H030G4Px 650 V 30mΩ GaN FET

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