TP65H030G4Px 650 V 30mΩ GaN FET
Renesas Electronics TP65H030G4Px 650V 30mΩ氮化镓 (GaN) FET提供有TOLT、TO247和TOLL封装形式。这些GaN FET使用了Gen IV Plus SuperGaN®平台，该平台将最先进的高压GaN HEMT与低压硅MOSFET相结合，使得该平台性能优异、采用容易且可靠，成为标准驱动产品。
Renesas Electronics TP65H030G4Px 650V 30mΩ氮化镓 (GaN) FET提供有TOLT、TO247和TOLL封装形式。这些GaN FET使用了Gen IV Plus SuperGaN®平台，该平台将最先进的高压GaN HEMT与低压硅MOSFET相结合，使得该平台性能优异、采用容易且可靠，成为标准驱动产品。