ROHM Semiconductor RBQxxBGE肖特基势垒二极管

ROHM Semiconductor RBQxxBGE肖特基势垒二极管采用硅外延平面结构,具有45V或65V重复峰值反向电压。RBQxxBGE肖特基势垒二极管具有高可靠性、低IR和阴极公共双类型。ROHM RBQxxBGE二极管设计用于开关电源应用。

特性

  • 可靠性高
  • 功率模具类型
  • 阴极共用双通道型
  • 低IR

框图

框图 - ROHM Semiconductor RBQxxBGE肖特基势垒二极管

封装类型

ROHM Semiconductor RBQxxBGE肖特基势垒二极管
发布日期: 2021-02-04 | 更新日期: 2022-03-11