ROHM Semiconductor RGW 650V场终止沟槽型IGBT
ROHM Semiconductor RGW 650V场终止沟槽型IGBT采用小型封装，具有低集电极-发射极饱和电压。RGW IGBT具有高速开关、低开关损耗和内置极快软恢复FRD。ROHM RGW 650V场终止沟槽型IGBT非常适合用于太阳能逆变器、UPS、焊接、IH和PFC应用。
特性
- 低集电极-发射极饱和电压
- 高速切换
- 低开关损耗和软开关
- 内置快速软恢复FRD
- 符合RoHS标准
应用
- 太阳能逆变器
- UPS
- 焊接
- IH
- PFC
视频
特征
导通损耗对比
电源转换效率
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发布日期: 2021-03-31
| 更新日期: 2024-07-17