ROHM Semiconductor RJ1N04BBH N沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RJ1N04BBH N沟道功率MOSFET提供80V漏极-源极电压和低导通电阻。该器件具有 ±100A连续漏极电流和89W功率耗散。RJ1N04BBH适合多种应用，包括开关、电机驱动和DC/DC转换器。ROHM RJ1N04BBH MOSFET采用大功率TO263AB封装。
特性
- 低导通电阻
- 大功率封装（TO263AB）
- 无铅电镀，符合RoHS规范
- 不含卤素
- 100%通过Rg和UIS测试
应用
- 开关
- 电机驱动器
- 直流/直流转换器
规范
- 80 V漏源电压
- 5.3mΩ静态漏极-源极导通电阻
- ±100A连续漏极电流
- 89W功率耗散
典型应用
测量电路
发布日期: 2025-03-04
| 更新日期: 2025-03-12