ROHM Semiconductor RS6N120BH N沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RS6N120BH N沟道功率MOSFET是一种紧凑型低损耗MOSFET，具有有助于高效率运行的铜夹片结构。该系统增加了电流容量，同时降低了封装电阻。此功能使RS6N120BH成为使用24V/36V/48V电源运行的驱动器应用的理想选择。
特性
- 非常适合用于开关应用
- 高功率5mm x 6mm x 1mm HSOP8S铜夹片封装
- 同时具有低导通电阻和栅极电荷电容（权衡关系），最大限度地减少能量损失
- 表面贴装
- 增强版
- 无铅电镀
- 100%通过Rg和UIS测试
- 无卤、符合RoHS指令
应用
- 开关应用
- 服务器和基站用电源
- 各种电机驱动设备（工业/消费电子）
规范
- 8个端子
- 漏源击穿电压：80V
- 击穿电压温度系数：58mV/°C（典型值）
- 连续漏极电流：±135A
- 脉冲漏极电流：±540A
- 栅极-源极电压：±20V
- 总栅极电荷范围：33nC至53nC（典型值）
- 栅极电阻：1.3Ω（典型值）
- 耗散功率：104W
- 驱动电压：6V
- 最大正向电压：1.2V
- 零栅极电压漏极电流：5µA（最大值）
- 单脉冲雪崩电流：30A
- 单脉冲雪崩能量：74mJ
- 正向传输导纳：42S（最小值）
- 输入电容：3420pF（典型值）
- 输出电容：1020pF（典型值）
- 反向传输电容：35pF（典型值）
- 接通延迟时间：32ns（典型值）
- 上升时间：47ns（典型值）
- 关闭延迟时间：73ns（典型值）
- 下降时间：35ns（典型值）
- 工作温度范围：-55°C至+150°C
内部电路
结构比较
发布日期: 2023-05-15
| 更新日期: 2023-05-19