ROHM Semiconductor SCT3x第三代SiC沟槽MOSFET
ROHM SCT3x第三代SiC沟槽MOSFET采用专属的沟槽式栅极结构，与平面型SiC MOSFET相比，其导通电阻降低了50%，输入电容降低了35%。这就大大降低了开关损耗并加快了开关速度，提高了效率，同时降低了各种设备的功率损耗。这些MOSFET提供650V和1200V两个版本。
特性
- 低导通电阻改进了逆变器功率密度
- 650V - 17mΩ至120mΩ
- 1200V - 22mΩ至160mΩ
- 支持高速开关
- 体二极管的最短反向恢复时间
- 小Qg和寄生电容
- 高温操作 (Tjmax=175°C)
应用
- 开关模式电源
- 太阳能逆变器
- UPS
- 电动充电器
- 感应加热设备
- 电机驱动
- 火车
- 风电变流器
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