AEC-Q101 SiC Power MOSFETs

ROHM Semiconductor AEC-Q101 SiC Power MOSFETs are ideal for automotive and switch-mode power supplies. The SiC Power MOSFETs can boost switching frequency, decreasing the volumes of capacitors, reactors, and other components required. AEC-Q101 SiC Power MOSFETs offer excellent reductions in size and weight within various drive systems, such as inverters and DC-DC converters in vehicles. Vehicle batteries are trending towards larger capacities with shorter charging times. This demands high power and efficiency on board chargers such as 11kW and 22kW. This leads to increased adoption of SiC MOSFETs. The AEC-Q101 SiC Power MOSFETs meet the needs of electronic vehicles and utilize a trench gate structure. The future design of ROHM's SiC MOSFETs endeavors to improve quality, strengthen its lineup to increase device performance, reduce power consumption, and achieve greater miniaturization.

结果: 34
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描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET 1200V 95A 427W SIC 22mOhm TO-247N
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199库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 95 A 28.6 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 178 nC - 55 C + 175 C 427 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET 1200V 24A 134W SIC 105mOhm TO-247N
数据表
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1,619库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 24 A 137 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 51 nC + 175 C 134 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET TO263 750V 51A N-CH SIC
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1,902库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 51 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 150 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET TO247 750V 34A N-CH SIC
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750库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 34 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 115 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET 1200V 55A 262W SIC 40mOhm TO-247N
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460库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 55 A 52 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 107 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET 650V 21A 103W SIC 120mOhm TO-247N
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450库存量
最低： 1
倍数： 1
Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 156 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 38 nC + 175 C 103 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET 1200V 17A 103W SIC 160mOhm TO-247N
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506库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 42 nC + 175 C 103 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET TO247 1.2KV 26A N-CH SIC
数据表
324库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 26 A 81 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 64 nC + 175 C 115 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET 650V 118A 427W SIC 17mOhm TO-247N
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352库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 650 V 118 A 22.1 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 172 nC - 55 C + 175 C 427 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET TO247 1.2KV 26A N-CH SIC
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499库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 26 A 81 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 64 nC + 175 C 115 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET 650V 70A 262W SIC 30mOhm TO-247N
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366库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 70 A 39 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 104 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET 1200V 72A 339W SIC 30mOhm TO-247N
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348库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 72 A 39 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 131 nC - 55 C + 175 C 339 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET TO247 1.2KV 81A N-CH SIC
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205库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 81 A 23.4 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C 312 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET TO247 1.2KV 26A N-CH SIC
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718库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 26 A 81 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 64 nC + 175 C 115 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET 650V 30A 134W SIC 80mOhm TO-247N
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366库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 104 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 48 nC + 175 C 134 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET TO247 750V 34A N-CH SIC
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321库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 34 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 115 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET 650V 39A 165W SIC 60mOhm TO-247N
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428库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 39 A 78 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 58 nC + 175 C 165 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET TO247 750V 34A N-CH SIC
数据表
810库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 750 V 34 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 115 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET TO247 1.2KV 43A N-CH SIC
数据表
115库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 43 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 91 nC + 175 C 176 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET TO247 1.2KV 43A N-CH SIC
数据表
669库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 43 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 91 nC + 175 C 176 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET TO263 750V 31A N-CH SIC
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301库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 31 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 93 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET TO247 750V 56A N-CH SIC
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787库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 750 V 56 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 176 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET TO263 1.2KV 24A N-CH SIC
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1,201库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 24 A 81 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 64 nC + 175 C 93 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET TO263 750V 51A N-CH SIC
数据表
547库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 51 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 150 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET TO263 750V 31A N-CH SIC
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1,996库存量
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 31 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 93 W Enhancement