ROHM Semiconductor SCT4045DWAHR AEC-Q101 N沟道SiC功率MOSFET

ROHM SemiconductorSCT4045DWAHR AEC-Q101 N沟道碳化矽 (SiC) 功率MOSFET是一款汽车等级设备，专门设计用于恶劣环境下的高效、高可靠性应用。这款双MOSFET设备的漏源电压额定值为750V，漏极连续电流为31A（每芯片+25°C时），每通道典型导通电阻仅为45mΩ，从而降低传导损耗并提高热性能。ROHM SCT4045DWAHR采用紧凑型TO-263-7LA封装，支持高密度设计和高效热管理。

SCT4045DWAHR功率MOSFET得益于SiC技术的固有优势，如高速开关、低开关损耗和出色的高温操作性能，非常适合用于电动汽车 (EV) 逆变器、车载充电器和其他汽车动力系统。汽车资格确保该MOSFET在严格的可靠性标准下保持稳健的性能，使其成为下一代汽车电气化的理想选择。

特性

符合 AEC-Q101
低导通电阻
开关速度快
快速反向恢复
易于并联

易于驱动
TO-263-7LA 封装
宽爬电距离：4.7mm（最小）
引线无铅镀层
符合RoH标准

应用

汽车
开关模式电源

规范

最大漏源电压：750V
最大连续漏/源电流
- 31 A（+25 °C 时）
- 22 A（+100 °C 时）
最大零栅极电压漏极电流：80μA
最大脉冲漏极电流：61A
体二极管
- 最大正向电流
  - 31 A（脉冲）
  - 61A浪涌
- 典型正向电压：3.3V
- 反向恢复时间：9.3 ns（典型值）
- 反向恢复电荷：89nC
- 典型峰值反向恢复电流：19A
最大DC栅极-源极电压范围：-4V至21V
最大栅极-源极浪涌电压范围：-4V至23V
最大推荐栅极-源极驱动电压
- 最大导通范围：15V至18V
- 0V关断
栅极-源极漏电流：±100nA
栅极阈值电压范围：2.8V至4.8V
漏源导通电阻
- 最大静态电阻：59mΩ（+25°C时）
- 45 mΩ 典型值