STMicroelectronics EVLSTGAP3SXS-H半桥评估板

STMicroelectronics EVLSTGAP3SXS-H半桥评估板设计用于评估STGAP3SXS隔离式单栅极驱动器。STGAP3SXS具有10A电流能力、轨到轨输出以及用于SiC MOSFET的优化UVLO和DESAT保护阈值。因此，该器件非常适合用于工业应用中的大功率电机驱动器。该栅极驱动器具有单输出引脚和用于外部米勒钳位N沟道MOSFET的驱动器线路。该选项优化了半桥拓扑中快速换向期间的正负栅极尖峰抑制。

该板由5V VAUX连接供电，为低侧和高侧驱动部分的隔离式直流－直流转换器馈送。如果使用5V MCU，VAUX 可以直接给栅极驱动器供电，如果使用使用3.3V MCU，则由板载线性稳压器供电。PWM和复位输入可通过专用连接器轻松控制，诊断输出连接到板载LED。

器件保护特性（去饱和、软关断和米勒钳位）连接到推荐的电路板上网络，可通过电路板测试点轻松评估。双输入引脚支持选择信号极性控制和实施硬件互锁保护，以在控制器发生故障时避免交叉传导。该器件支持实现负栅极驱动，板载隔离式直流－直流转换器支持在优化的SiC MOSFET驱动电压下工作。

STMicroelectronics EVLSTGAP3SXS-H板支持评估STGAP3SXS的所有特性，同时在高达520V的总线电压下工作。如果需要，将两个SiC MOSFET替换为采用HiP247-4封装和C4电容的适当器件，可将总线电压提高至1200V。

特性

STGAP3SXS器件
- 驱动器电流能力：10A拉电流/灌电流（25°C时）
- 输入－输出传播延迟：75ns
- 米勒夹钳驱动器，用于外部N沟道MOSFET
- 可调软关断功能
- UVLO功能
- 去饱和保护
- 栅极驱动电压高达32V
- 负栅极驱动电压
- 3.3V、5V TTL/CMOS输入，带迟滞
- 温度关断保护
- 增强型电隔离
  - 隔离电压V_ISO = 5.7kV_RMS（符合UL 1577标准）
  - 瞬态过压V_IOTM = 8kV_PEAK（符合IEC 60747-17标准）
  - 最大重复隔离电压V_IORM = 1.2kV_PEAK（符合IEC 60747-17标准）

电路板
- 半桥配置
- 高压轨高达520V（受MOSFET和电容器额定值的限制）
- SCTWA70N120G2V-4 SiC MOSFET（1200V、52mΩ、91A）
- 兼容5V和3.3V MCU
- V_DD 逻辑供电由板载生成的3.3V或VAUX = 5V提供
- 板载隔离式直流－直流转换器，为高侧和低侧栅极驱动器供电，由VAUX = 5V馈电，最大隔离为5.2kV_pk
- 可轻松选择跳线以驱动电压配置（+19/0V、+19/-4.7V、+17/0V或+17/-4.7V）
- 故障 LED 指示器
- 隔离上最大工作电压：1200V
- 符合RoHS标准