STMicroelectronics EVALMASTERGAN5演示板
STMicroelectronics EVALMASTERGAN5演示板提供基于MASTERGAN5高压驱动器的半桥拓扑参考设计，集成了GaN eHEMT。集成式功率GaN具有150mΩ RDS(ON)和650V漏极源极击穿电压。集成式自举二极管可以快速为嵌入式栅极驱动器的高侧供电。
STMicroelectronics EVALMASTERGAN5演示板设有预先安装的MASTERGAN3驱动器，采用QFN封装。该演示板还包括 一个带单VCC电源的板载可编程输入死区时间发生器。嵌入式线性稳压器设有3.3V电源轨，可为低电压逻辑电路（例如微控制器或FPGA）供电。
该器件设有多个备用占位，可针对最终应用定制电路板，例如独立输入信号或单PWM信号、使用可选的外部自举二极管、用于VCC、PVCC或Vbo的独立电源，以及使用低侧分流电阻器实现峰值电流模式拓扑。
特性
- 半桥评估板，配备MASTERGAN5高压驱动器
- 两个集成式650V GaN eHEMTs
- 9mm x 9mm QFN封装
- KF33BD-TR 3.3V LDO稳压器，用于外部电路电源（高达50mA）
- 高频连接器，用于MASTERGAN3 GL和GH引脚监控
- 配置用于MASTERGAN5电源电压的螺丝连接器或引脚条上的VCC输入
- 驱动MASTERGAN5的完整特性，具有单个或互补驱动信号
- 嵌入式死区发生器，可将单个PWM信号转换为具有独立可调死区时间的双互补LIN和HIN信号
- 35°C/W结点至环境热阻，以评估大型电源拓扑
- 备用占位，用于低侧分流电容器、外部自举电容器和高压大电容大容量电容器
- 50mm x 70mm FR-4 PCB
- 符合RoHS指令
支持的设备
STMicroelectronics MASTERGAN GaN半桥高压驱动器
在半桥配置中集成栅极驱动器和两个增强模式GaN晶体管。
相关开发工具
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板布局
助您完成设计
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各种可直接替换器件，适用于通用模拟IC、分立元件和串行EEPROM。
发布日期: 2021-07-21
| 更新日期: 2022-03-11