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STMicroelectronics MASTERGAN GaN半桥高压驱动器

STMicroelectronics MASTERGAN GaN半桥高压驱动器采用高功率密度电源，在半桥配置中集成了栅极驱动器和两个增强模式GaN晶体管。集成式电源氮化镓具有150mΩ RDS(ON) 和650V漏源击穿电压。集成式自举二极管可以快速为嵌入式栅极驱动器的高侧供电。

STM MASTERGAN驱动器在下、上驱动部分均提供UVLO保护。该保护功能可防止电源开关在低效率或危险条件下工作，联锁功能可避免交叉传导情况。输入引脚具有扩展电压范围，因此可轻松连接微控制器、DSP单元或霍尔效应传感器。

MASTERGAN驱动器在-40°C至125°C工业温度范围内工作，采用紧凑型9mm x 9mm QFN封装。

特性

  • 电源系统级封装，集成半桥栅极驱动器和高压GaN晶体管：
    • BVDSS = 650V
    • RDS(ON) = 150mΩ
    • IDS(MAX) = 10A
  • 反向电流能力
  • 零反向恢复损耗
  • 低侧和高侧UVLO保护
  • 内置自举二极管
  • 联锁功能
  • 专用引脚，用于关断功能
  • 精确的内部时序匹配
  • 3.3V至15V兼容输入，具有迟滞和下拉功能
  • 过温保护
  • 材料清单减少
  • 超紧凑、简化的布局
  • 灵活、简单、快速的设计

应用

  • 开关模式电源
  • 高压PFC、DC-DC和DC-AC转换器
  • 充电器和适配器
  • 不间断电源 (UPS) 系统
  • 太阳能发电

内容中心

STMicroelectronics MASTERGAN GaN半桥高压驱动器

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框图 - STMicroelectronics MASTERGAN GaN半桥高压驱动器

开发工具

STMicroelectronics EVL250WMG1L演示板

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基于MASTERGAN3高压驱动器的半桥参考设计，集成了GaN eHEMT。

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基于MASTERGAN5高压驱动器的半桥参考设计，集成了GaN eHEMT。

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STMicroelectronics EVLMG1LPBRDR1基于GaN的半桥电源模块

配有MASTERGAN1L，其可快速创建拓扑结构，无需完整的PCB设计。

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配有MASTERGAN4L，其可快速创建拓扑结构，无需完整的PCB设计。

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物料编号 数据表 描述
MASTERGAN1 MASTERGAN1 数据表 栅极驱动器 High power density 600V half-bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs
MASTERGAN2TR MASTERGAN2TR 数据表 栅极驱动器 High power density 600V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs
MASTERGAN3TR MASTERGAN3TR 数据表 栅极驱动器 High power density 600 V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs
MASTERGAN1LTR MASTERGAN1LTR 数据表 栅极驱动器 600 V half-bridge enhancement mode GaN HEMT with high voltage driver
MASTERGAN4LTR MASTERGAN4LTR 数据表 栅极驱动器 600 V half-bridge enhancement mode GaN HEMT with high voltage driver
MASTERGAN4 MASTERGAN4 数据表 栅极驱动器 High power density 600V half-bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs
MASTERGAN2 MASTERGAN2 数据表 栅极驱动器 High power density 600V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs
MASTERGAN5 MASTERGAN5 数据表 栅极驱动器 High power density 600 V half-bridge driver with two enhancement mode GaN power
MASTERGAN1TR MASTERGAN1TR 数据表 栅极驱动器 High power density 600V half-bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs
MASTERGAN3 MASTERGAN3 数据表 栅极驱动器 High power density 600 V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs
发布日期: 2020-08-28 | 更新日期: 2025-12-09