STMicroelectronics STL325N4LF8AG N通道功率MOSFET
意法半导体STL325N4LF8AG N沟道功率MOSFET采用STripFET F8技术，具有增强型沟槽栅极结构。 STL325N4LF8AG可确保非常低的导通电阻。该器件还降低内部电容和栅极电荷，实现更快、更高效的开关。
特性
- 符合 AEC-Q101
- MSL1级
- 工作温度：175°C
- 100%经雪崩测试
- 可湿性侧翼封装
- 出色的体漏极二极管软度
- 低EMI噪声辐射
- 低输出电容和串联电阻
- 低尖峰，用于关断和短振荡时的漏源电压
- 低栅极-漏极电荷
- 快速关断和低开关损耗
- 紧密的栅极阈值电压扩频
- 轻松并联
- 极高电流能力
- 高短路能力
应用
- 开关应用
- 电源转换
- 电机控制
- 配电
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发布日期: 2022-06-22
| 更新日期: 2024-11-18