STMicroelectronics EVLSTDRIVEG610Q 评估板

STMicroelectronics EVLSTDRIVEG610Q评估板基于STDRIVEG610高速半桥栅极驱动器，优化用于驱动高压增强型GaN HEMT。STDRIVEG610提供独立的大电流灌/拉栅极驱动引脚、集成LDO、自举二极管、欠压、高侧快速启动、过热、故障和关闭引脚以及待机，以支持4mm x 5mm QFN封装中的硬开关拓扑。

STMicroelectronics EVLSTDRIVEG610Q评估板易于使用，适用于评估 STDRIVEG610 的特性，该板可驱动 SGT120R65AL 75mΩ（典型值）。650V E模式GaN开关，采用5mm x 6mm QFN封装。该设备提供板载可编程死区时间生成器和3.3V线性稳压器，为微控制器等外部逻辑供电。还为最终应用定制电路板提供了备用引脚布局，例如单独的LIN和HIN输入信号或单个PWM信号。

EVLSTDRIVEG610Q为56mm x 70mm宽、双层1.5Oz、FR-4 PCB，在静止空气中的总体R_th(J‑A) 为24°C/W（相当于每个GaN为48°C/W），可用于评估大功率应用。