STMicroelectronics STDRIVEG610半桥栅极驱动器

STMicroelectronics STDRIVEG610半桥栅极驱动器是高性能设备，专为在各种电源转换应用中驱动N沟道MOSFET或IGBT设计。STMicroelectronics STDRIVEG610具有单输入控制和引导操作，只需极少的外部组件即可实现高效的高侧和低侧切换。该设备支持高达600V 的高侧驱动器，并在低端和高端均包含欠压锁定 (UVLO) 保护，以确保安全运行。由于具有50ns的典型传播延迟和匹配的延迟时间，STDRIVEG610 IC非常适合高频开关应用，例如电机控制、电源和逆变器。紧凑的设计、强大的保护功能和宽的工作电压范围使STDRIVEG610半桥栅极驱动器成为寻求高效紧凑型栅极驱动器解决方案的设计人员的可靠选择。

特性

高达600V高压轨
±200 V/ns dV/dt瞬态抗扰度
驱动器具有独立的灌电流/片和源路径，以实现最佳驱动
- 2.4A和1.2Ω灌电流
- 1.0A和3.7Ω源电流
6V栅极驱动电压的高侧和低侧线性稳压器
300ns超快高侧启动时间
传播延迟45ns，最小输出脉冲15ns
高（>1MHz）切换频率

内置600V自举二极管
完全支持 GaN硬开关操作
VCC、V_BO 和V_LS 上的UVLO功能
逻辑输入和关闭引脚分离
过温和UVLO报告故障引脚
低功耗模式待机功能
分开的PGND用于开尔文源驱动和电流分流兼容性
3.3V至20V兼容输入，具有迟滞和下拉功能

应用

DC/DC和谐振转换器（LLC、主动钳位反激、对称推挽等）
PFC和同步整流器拓扑结构

电池充电器和适配器
AC/DC转换器

规范

9.2V至18V逻辑电源电压范围
±3V低侧驱动器接地
7.5V至20V V_BOOT-OUT 引脚电压范围
-10.8V_DC 至520V_DC 输出电压范围
600V最大瞬态输出电压
0V至20V逻辑输入电压范围
47nF至220nF驱动器电源电压旁路电容范围
3300nF最大高侧驱动器线性稳压器输入电容
50ns输入脉冲最小持续时间
2MHz最大切换频率

热阻
- 按照JESD51-7安装在2s2p（4层）FR4板上时，结温为85°C/W，无PCB热通孔
- 根据JESD51-3标准，在1s0p（1层）FR4板上安装时，结温为110°C/W
ESD等级
- 符合ANSI/ESDA/JEDEC JS-001-2017标准，人体模型为2kV
- 符合ANSI/ESDA/JEDEC JS-002-2018标准，带电设备模型为1kV
-40°C至+125°C结温范围
4mmx5mmx1mm QFN封装