Texas Instruments CSD88599Q5DC 60V半桥NexFET电源块
Texas Instruments CSD88599Q5DC 60V半桥NexFET电源块是一款经过优化、用于大电流电机控制应用的设计。这些应用包括手持无线园艺和电动工具等。CSD88599Q5DC采用TI获得专利的堆叠裸片技术，以最大限度地减小寄生电感，同时提供完整的半桥。该器件采用节省空间的热增强型DualCool™ 5mm × 6mm封装。利用暴露的金属顶部，该电源块器件允许简单散热应用将热量从封装顶部吸收并将其从PCB带走， 从而在许多电机控制应用要求的较高电流下实现出色的热性能。
特性
- 半桥电源块
- 高密度SON 5mm×6mm占位尺寸
- 低RDS(ON) ，最大限度地降低导通损失3.0W（30A时PLoss）
- DualCool™热增强型封装
- 超低电感封装
- 符合RoHS指令
- 无卤素
- 端子无铅电镀
应用
- 无刷直流电机控制三相桥
- 高达12s的电池电动工具
- 其他半桥和全桥拓扑
典型电路
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发布日期: 2017-06-12
| 更新日期: 2022-05-24