Texas Instruments JFE2140 N沟道JFET
Texas Instruments JFE2140 N沟道 JFET是Burr-Brown™ 匹配对分立式JFET，采用TI的高性能模拟双极工艺制造而成。JFE2140在所有电流范围内均具有出色的噪声性能，用户可将静态电流设置为50μA至20mA。当偏置为5mA时，JFE2140产生0.9nV/√Hz的输入参考噪声，从而实现了超低噪声性能和极高的输入阻抗 (> 1TΩ)。此外，JFET之间的匹配经过测试达到 ±4mV，确保了差分对配置的低失调和高CMRR性能。
此外，TI JFE2140 N沟道JFET还设有连接到独立钳位节点的集成二极管，确保无需添加高漏电流、非线性外部二极管即可提供保护。
JFE2140可承受40 V高漏极-源极电压，指定温度范围为–40°C至+125 °C。该器件允许栅极到源极和栅极到漏极电压低至-40V。
特性
- 超低噪声：
- 电压噪声：
- 0.9nV/√Hz（1kHz，IDS = 5mA时）
- 1.1nV/√Hz（1kHz，IDS = 2mA时）
- 电流噪声：1.6fA/√Hz（1 kHz时）
- 电压噪声：
- 低VGS 失配：4mV（最大值）
- 低栅极电流：10pA（最大值）
- 低输入电容：13pF（VDS = 5V时）
- 高栅极至漏极和栅极至源极击穿电压：–40V
- 高跨导：30mS
- SOIC和2mm × 2mm WSON封装
应用
- 麦克风输入
- 检漏器和海洋设备
- DJ控制器、混频器和其他DJ设备
- 专业音频混频器或控制表面
- 吉他放大器和其他乐器放大器
- 状态监测传感器
简化示意图
功能框图
发布日期: 2022-03-16
| 更新日期: 2024-09-18