Texas Instruments LM66100 ±6V低IQ理想二极管
Texas Instruments LM66100 ±6V低IQ理想二极管提供集成的单输入、单输出 (SISO)，适合用于各种应用。LM66100包括一个P沟道MOSFET，可在1.5V至5.5V输入电压范围内工作，并支持最高达1.5A的持续电流。
两个LM66100低IQ理想二极管可用于一个ORing配置中，类似于实施双二极管ORing。这种配置能让LM66100将最高输入电压传递到输出，同时阻止反向电流流入输入电源。LM66100理想二极管可以比较输入和输出电压，确保通过内部电压比较器阻止反向电流。
LM66100的结温范围为–40°C至125°C，采用标准SC-70封装。
特性
- 宽工作电压范围：1.5V至5.5V
- VIN反向电压关态： -6V（最大绝对值）
- 最大持续电流 (IMAX)：1.5A
- 导通电阻 (RON)：
- 5V VIN = 79mΩ（典型值）
- 3.6V VIN = 91mΩ（典型值）
- 1.8V VIN = 141mΩ（典型值）
- 比较器芯片使能（CE）
- 通道状态指示 (ST)
- 低电流消耗：
- 3.6V VIN关断电流(ISD、VIN）：120nA（典型值）
- 3.6V VIN静态电流（IQ、VIN）：150nA（典型值）
应用
- 智能电表
- 楼宇自动化
- GPS和跟踪
- 主电池和备用电池
功能图
评估模块
Texas Instruments LM66100EVM评估模块
一款双层PCB，包含两个LM66100理想二极管，用于评估OR-ing配置。
发布日期: 2019-07-24
| 更新日期: 2023-10-09