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Texas Instruments LMG2652 650V 140mΩ GaN功率FET半桥

Texas Instruments LMG2652 650V 140mΩ GaN功率FET半桥简化了设计，减少了元件数量，减少了电路板空间。通过在6mmx8mm QFN封装中集成半桥功率FET、栅极驱动器、自举二极管和高侧栅极驱动电平转换器实现了简化。与传统的电流检测电阻器相比，低侧电流检测仿真降低了功耗。它允许低侧散热焊盘连接到冷却PCB电源接地。

高侧GaN功率FET可通过低侧参考栅极驱动引脚（INH）或高侧参考栅极驱动引脚（GDH）进行控制。在具有挑战性的电源开关环境中，高侧栅极驱动信号电平转换器将INH引脚信号可靠地传输到高侧栅极驱动器。智能开关GaN自举FET没有二极管正向压降，可避免高侧电源过充，并具有零反向恢复电荷。

Texas Instruments LMG2652支持转换器轻负载效率要求和突发模式运行，具有低静态电流和快速启动时间。保护特性包括FET导通联锁、欠压闭锁（UVLO）、逐周期电流限制和过热关断。

特性

  • 650 V GaN功率FET半桥
  • 140mΩ低侧和高侧GaN FET
  • 集成栅极驱动器，具有<100ns低传播延迟
  • 电流检测仿真，具有高带宽和高精度
  • 低侧基准（INH）和高侧基准（GDH）高侧栅极驱动引脚
  • 低侧（INL）/高侧（INH）栅极驱动联锁
  • 高侧（INH）栅极驱动信号电平转换器
  • 智能开关自举二极管功能
  • 高侧启动：< 8μs
  • 低侧/高侧逐周期过流保护
  • 过温保护
  • AUX空闲静态电流：250µA
  • 辅助待机静态电流：50µA
  • BST空闲静态电流：70µA
  • 8mm×6mm QFN封装，带双散热焊盘

应用

  • 交流/直流适配器和充电器
  • 交流/直流USB壁式电源
  • 交流/直流辅助电源
  • 移动壁式充电器设计
  • USB壁式电源插座

其他资源

简化框图

框图 - Texas Instruments LMG2652 650V 140mΩ GaN功率FET半桥

开发工具

Texas Instruments LMG2652EVM-101子卡评估模块

一款快速简便的平台，用于评估采用任意半桥拓扑结构的TI集成式GaN器件。

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发布日期: 2025-04-08 | 更新日期: 2025-04-17