Texas Instruments LMG341xR050 GaN功率级
Texas Instruments LMG341xR050 GaN功率级集成有驱动器和保护功能，可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。与硅MOSFET相比，LMG341x的固有优势包括超低输入和输出电容值、可将开关损耗降低80%的零反向恢复以及可降低EMI的低开关节点振铃。这些优势支持诸如图腾柱PFC之类的密集高效拓扑。
Texas Instruments LMG341xR050通过整合一套独特的功能来简化设计、最大限度地提高可靠性并优化所有电源性能，是替代传统共源共栅GaN和独立GaN FET的明智之选。集成式栅极驱动器可实现100V/ns开关，其Vds 振铃几乎为零。该功能可提供小于100ns的限流响应自我保护，防止意外击穿事件；过热关断功能可防止热失控；系统接口信号可提供自我监控功能。
特性
- TI GaN FET可靠性通过应用中的硬开关加速应力配置文件达标
- 实现高密度电源转换设计
- 与共源共栅或独立GaN FET相比，具有卓越的系统性能
- 低电感8mmx8mm QFN封装，易于设计和布局
- 可调节驱动强度，确保开关性能和EMI控制
- 数字故障状态输出信号
- 仅需+12V非稳压电源
- 集成式栅极驱动器
- 零公共源电感
- MHz运行传播延迟为20ns
- 经调整的栅极偏置电压，可补偿阈值变化，确保可靠开关
- 25V/ns至100V/ns的用户可调压摆率
- 强大的保护功能
- 无需外部保护元件
- 过流保护，响应小于100ns
- 转换率抑制：>150V/ns
- 短暂过压免疫
- 过温保护
- 针对所有电源轨的欠压锁定（UVLO）保护
- 强大的保护功能
- LMG3410R050：锁存过流保护
- LMG3411R050：逐周期过流保护
应用
- 高密度工业和消费电子电源
- 多级转换器
- 太阳能逆变器
- 工业电机驱动器
- 不间断电源
- 高压电池充电器
功能框图
相关开发工具
Texas Instruments LMG341xEVM-018子卡
配置两个LMG3410R050或两个LMG3411R050 600 V GaN FET（具有集成驱动器和保护功能）。
发布日期: 2020-01-08
| 更新日期: 2024-05-01