Texas Instruments LMG342xR030 GaN场效应晶体管（FET）

Texas Instruments LMG342xR030集成了硅驱动器，可实现切换速度高达150V/ns。TI的集成精密栅极偏置与分立硅栅极驱动器相比，具有更高的开关SOA。这种集成结合了TI的低电感封装，可实现硬开关电源拓扑中的干净开关和最小振铃。可调节的栅极驱动器强度允许控制从20V/ns到150V/ns的转换速度，从而主动控制EMI并优化开关性能。LMG3425R030包括理想二极管模式，通过启用自适应死区时间控制，从而减少第三象限损耗。

先进的电源管理功能包括数字温度报告和故障检测。通过可变占空因数PWM输出报告GaN FET的温度，从而可简化设备负载管理。报告的故障包括过热、过电流和UVLO监控。