Texas Instruments LMG342X-BB-EVM 评估模块（EVM）
Texas Instruments LMG342X-BB-EVM评估模块（EVM）是一款易于使用的分线板，可将任意LMG342xR0x0半桥电路板（如LMG3422EVM-043）配置为同步降压转换器。通过提供功率级、偏置电源和逻辑电路，该评估模块可快速测量氮化镓（GaN）器件的开关。此评估模块可提供高达12A的输出电流，并采用适当的热管理方案（低频运行、强制通风等），以确保不超过最高工作温度。由于是开环电路板，Texas Instruments LMG342X-BB-EVM不适用于瞬态测量。
采用互补脉宽调制信号时，仅需单个脉宽调制输入，且可在板上生成相应的死区时间。提供了探测点，因而可使用具有短接地弹簧的示波器探针测量关键逻辑和功率级波形。
特性
- 采用简单开环设计，可用于评估LMG342xR0xx、LMG352xR0xx的性能
- 板载单路或双路PWM输入，用于具有可变死区时间的PWM信号
- 输入电压高达650 V
- 便利的探测点，用于逻辑和功率级测量，示波器探头具有短接地弹簧探头
必要设备
- DC电压源
- 能够提供高达480V评估模块输入
- DC偏置源
- 可提供高达1.5A的12V输出
- 函数发生器
- 可输出0V至5V方波，在工作范围内具有可调占空比和频率
- 在硬开关转换器中，TI建议将LMG342XEVM-04X和主板的开关频率保持在50kHz和200kHz之间
- 示波器
- 工作频率至少为200 MHz
- 为实现精确测量，需要1GHz或更高频率的示波器和带有短接地弹簧的探头
- DC万用表
- 能够进行600 V测量，适合用于确定操作和效率（若需要）
- DC负载
- 能够以600 V电压下运行，电流模式下的工作电流高达20 A
- 风扇
- 对于散热片版评估模块子卡，散热片背面装有专用冷却风扇
- 在测试前，请确保风扇由12V电源供电
板布局
相关产品
Texas Instruments LMG342xR030 GaN场效应晶体管（FET）
可使设计人员在电子设备系统中实现新的功率密度和效率水平。
Texas Instruments LMG342xR050 600V 50mΩ GaN FET
使设计人员能够在电力电子系统中实现新的功率密度和效率水平。
Texas Instruments LMG3522R050 650V GaN FET
该器件可让设计人员实现更高水平的功率密度和效率。
Texas Instruments 带集成驱动器的LMG3526R030氮化镓场效应晶体管 (FET)
该器件可让设计人员实现更高水平的功率密度和效率。
Texas Instruments LMG3526R050 650 V GaN FET
该器件使设计人员能够实现新的功率密度和效率水平。
开发工具
Texas Instruments LMG2640EVM-090子卡评估模块
一个快速简单的评估平台，用来评估任何半桥拓扑结构中TI的集成氮化镓器件。
Texas Instruments LMG2650EVM-100子卡评估模块
一款快速简便的平台，用于评估采用任意半桥拓扑结构的TI集成式GaN器件。
Texas Instruments LMG342xEVM-04x半桥子卡
子卡将两个LMG342xR0x0 GaN FET配置在一个半桥中。
Texas Instruments LMG3422EVM-041半桥子卡
子卡将两个LMG3422R050 GaN FET配置在一个半桥中。
Texas Instruments LMG2652EVM-101子卡评估模块
一款快速简便的平台，用于评估采用任意半桥拓扑结构的TI集成式GaN器件。
Texas Instruments LMG2656EVM-102子卡评估模块
为评估任何半桥拓扑结构中的TI集成氮化镓器件提供了一个快速及简易平台。