Texas Instruments LMG3612单通道GaN FET

Texas Instruments  LMG3612单通道GaN FET提供650V漏源电压和120mΩ漏源电阻，以及专为开关模式电源应用设计的集成驱动器。该 IC 将 GaN FET、栅极驱动器和保护功能  集成在8mm x 5.3mm QFN封装中。LMG3612 GaN FET具有低输出电容电荷，可减少电源转换器开关所需的时间和能量。该晶体管的内部栅极驱动器可调节驱动电压以获得最优GaN FET导通电阻。内部栅极驱动器可降低总栅极电感和GaN FET共源电感，从而提高开关性能，包括共模瞬态抗扰度 (CMTI)。LMG3612 GaN FET支持转换器轻负载效率要求和突发模式操作，具有55µA低静态电流和快速启动时间。