更高的开关频率与更高功率相结合,需要具有较低导通电阻的器件,但这可确保快速开关速度,而不会降低EMI噪声水平。Toshiba开发了先进的晶圆工艺来抑制开关噪声,进一步改进产品设计。
通过将最新晶圆工艺与低电阻封装技术相结合,可实现业界较低的导通电阻水平。Toshiba在其MOSFET中使用铜连接器,因此封装电阻和电感极低。低电阻有助于降低能量损耗并减小应用尺寸。
采用可湿性侧翼封装,因此可实现更好的自动光学检测 (AOI) ,同时支持焊料芯吸。这种改进有助于确保芯片持续耐受各种极端可靠性条件。
特性
- 低导通电阻
- RDS(ON)=0.74mΩ(最大值)(VGS=10V时)(TKR74F04PB,采用40V WARP-TO-220SM(W) 封装)
- RDS(ON)=3.3mΩ(最大值)(VGS=10V时)(TK90S06N1L,60V DPAK+封装)
- RDS(ON)=2.4mΩ(最大值)(VGS=10V时)(TK160F10N1L,采用100V WARP-TO-220SM(W) 封装)
- 40V、60V、100V P沟道和N沟道MOSFET,用于采用小型表面贴装封装的汽车应用
- 符合AEC-Q101标准
- SOP Advance (WF)、TSON Advance (WF) 与DSOP Advance (WF) 封装选项,带可湿性侧翼端子结构
应用
- 汽车设备
- 电源(直流/直流转换器)和LED大灯等(电机驱动器、开关稳压器和负载开关)
框图
发布日期: 2020-07-14
| 更新日期: 2024-11-20
