Toshiba 车用U-MOSX-H MOSFET
Toshiba 车用U-MOSX-H MOSFET符合AEC-Q101标准，具有低漏极-源极导通电阻。U-MOSX-H具有低漏电流IDSS=10µA（最大值）(VDS=100V)。该器件非常适合用于汽车、开关电压、稳压器、直流-直流转换器和电机驱动器等应用。
特性
- 符合AEC-Q101标准
- 低漏源导通电阻：RDS(ON)=1.6mΩ（典型值）(VGS=10V)
- 低漏电流：IDSS=10µA（最大值） (VDS=100V)
- 增强模式：Vth=2.5V至3.5V（VDS=10V，ID=1mA）
应用
- 汽车
- 开关稳压器
- DC-DC转换器
- 电机驱动器
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发布日期: 2020-04-29
| 更新日期: 2025-08-19