Toshiba SSM6N951L/SSM10N954L场效应晶体管
Toshiba SSM6N951L/SSM10N954L场效应晶体管可促进小型电池的高效充电/放电。提高电池’可靠性，降低热冲击是采用快速充电的锂离子电池的关键要求。MOSFET通常在充电/放电保护电路中用作开关，通常内置于锂离子电池组。
偶尔可能会出现可靠性挑战，如电池电压降低，从而导致栅极驱动电压降低或因大电流引起的温度升高。在这些情况下，关键MOSFET特性RON会恶化，直接影响充电/放电功能的效率。
Toshiba共漏极12V N沟道MOSFET SSM6N951L和SSM10N954L采用专用精细工艺，可最大限度地降低RON 对栅极电压和温度特性的依赖。因此，该系列MOSFET具有平坦的RON特性。
特性
- 超低导通电阻：
- SSM6N951L RSSON = 4.6mΩ（典型值，3.8V时）
- SSM10N954L RSSON = 2.2mΩ（典型值，3.8V时）
- 低栅极漏电流：IGSS ±1uA（最大值，±8V时）
- 超级轻薄小巧的封装：
- SSM6N951L 2.14mm x 1.67mm x 0.11mm（典型值）
- SSM10N954L 2.98mm x 1.49mm x 0.11mm（典型值）
应用
- 智能手机
- 耳机
- 可穿戴产品
- 锂离子二次电池
- 移动设备
引脚分配
等效电路
SSM10N954L RSS(ON) – IS曲线
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| 物料编号 | 数据表 | 描述 |
|---|---|---|
| SSM10N954L,EFF |  |
MOSFET TCSPAC N-CH 12V 13.5A |
| SSM6N951L,EFF | |
MOSFET Small Signal MOSFET Rdson: 4.4mOhm Vgs: 4.5V |
发布日期: 2020-09-09
| 更新日期: 2024-11-20