Vishay / Siliconix Si3129DV P沟道80V (D-S) MOSFET
Vishay/Siliconix Si3129DV P沟道80V (D-S) MOSFET 100%经过Rg测试，采用TSOP-6单封装。Si3129DV MOSFET具有±20V栅极-源极电压和-55°C至150°C工作结温范围。Vishay/Siliconix Si3129DV P沟道80V MOSFET设计用于便携式和消费类应用的电源管理。
特性
- TrenchFET®功率MOSFET
- 100%经过Rg测试
应用
- 用于手持式和消费类设备的电源管理
- 负载开关
- 直流/直流转换器
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Vishay / Siliconix TrenchFET® MOSFETs
Industry-best on-resistance in a variety of package configurations.
包装类型
发布日期: 2021-02-05
| 更新日期: 2022-03-11