Vishay / Siliconix SQ汽车级功率MOSFET

Vishay/Siliconix SQ汽车级功率MOSFET符合AEC-Q101标准,采用经过优化的适用于汽车业的特殊工艺设计生产。这些SQ MOSFET采用低导通电阻N沟道和P沟道TrenchFET®技术,具有低热阻。SQ MOSFET有多种封装可供选择,可实现设计灵活性。封装包括TO-252、TO-262、TO-263、PowerPAK® SO-8、PowerPAK 8x8L、PowerPAK SO-8L、D2PAK (TO-263)、DPAK和PowerPAK 1212-8W,以及几种节省空间的小型封装。Vishay/Siliconix SQ汽车级功率MOSFET提供各种极性选项,包括N沟道和P沟道一体封装。

特性

  • TrenchFET功率MOSFET
  • 符合AEC-Q101标准
  • 工作结温和储存温度范围:-55°C至+175°C,具体值取决于型号
  • 低热阻
  • 100%经过Rg和UIS测试
  • 多种封装类型,实现设计灵活性
  • SMD/SMT和通孔安装选项

PowerPAK封装

视频

PowerPAK S0-8L信息图

图表 - Vishay / Siliconix SQ汽车级功率MOSFET

汽车级TrenchFET信息图

图表 - Vishay / Siliconix SQ汽车级功率MOSFET
发布日期: 2012-06-08 | 更新日期: 2025-08-11