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Vishay TrenchFET®第四代顶侧双面冷却MOSFET

Vishay TrenchFET®第四代顶侧双面冷却MOSFET可进行顶侧冷却，另外还可在器件上的另一个位置实现热传递。这些MOSFET采用PowerPAK® SO-8DC封装。TrenchFET双面冷却MOSFET包括可提供如下漏源击穿电压的型号：25V、30V、40V、60V、80V、100V、150V和200V。这些N通道MOSFET的工作温度范围为-55°C至150°C。TrenchFET MOSFET可用于各类特定产品应用，包括同步整流、DC/DC转换、电源、电池管理等。                        

特性

  • TrenchFET®功率MOSFET
  • 采用顶侧冷却，另外还提供其他导热位置
  • 100%通过Rg和UIS测试
  • PowerPAK SO-8DC封装

规范

  • 漏源击穿电压：25V、30V、40V、60V、80V、100V、150V和200V
  • 工作温度范围：-55°C至150°C

应用

  • 同步整流
  • DC/DC转换器
  • SiDR626DP、SiDR638DP、SiDR668DP、SiDR680DP、SiDR668ADP和SiDR870ADP：
    • 电机驱动控制
    • 电池和负载开关
  • SiDR140DP、SiDR390DP、SiDR392DP、SiDR402DP和SiDR668ADP：
    • OR-ing
    • 负载开关
    • 高功率密度DC/DC器件
  • SiDR610DP和SiDR668ADP：
    • 电源
    • D类放大器
  • SiDR622DP和SiDR668ADP：
    • 一次侧开关
    • H桥

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典型特征

性能图表 - Vishay TrenchFET®第四代顶侧双面冷却MOSFET

PowerPAK® SO-8双面冷却外壳略图

Vishay TrenchFET®第四代顶侧双面冷却MOSFET
发布日期: 2018-06-20 | 更新日期: 2022-03-10