Vishay / Siliconix TrenchFET第四代MOSFET
Vishay / Siliconix TrenchFET®第四代MOSFET是新一代TrenchFET®系列功率MOSFET，采用PowerPAK® SO-8和1212-8S封装，并具有业内超低的导通电阻和低栅极总电荷。TrenchFET第四代MOSFET具有超低RDS(on)特性，因此进一步降低了导通损耗以及功耗。TrenchFET MOSFET还采用了节省空间的PowerPAK® 1212-8 封装，能以三分之一的尺寸实现相近的效率。典型应用包括大功率DC/DC转换器、同步整流器、太阳能微型逆变器以及电机驱动开关。
TrenchFET MOSFET可用于各种功率MOSFET，有多种高级封装形式可供选择，比如支持-200V至800V击穿电压和1.2V宽范围栅极驱动电压的封装形式。这些MOSFET进行了优化，具有适用于负载开关应用的最低RDS(on)，以及用于快速开关的最低栅极电荷和电容。此系列MOSFET可分为低压和中压TrenchFET。
低压TrenchFET®具有效率高、功率密度大以及节省封装空间的特性，适用于消费电子设备、无人机、计算机以及电信设备。
中压TrenchFET®尺寸小巧高效，可优化布局、减少元件数，并实现超高效率，适用于电源、电机驱动控制以及可再生能源。
Vishay Siliconix SkyFET MOSFET也属于Vishay Siliconix TrenchFET第四代功率MOSFET产品系列。
特性
- 新一代技术，优化了一些关键参数
- DS(on)S=4.5V
- VGS=10V时具有低至0.001Ω的超低RDS(on)
- 超低Qgd，且Qgd/Qgs比也很低（<0.5）
- Qgd/Qgs比可低至0.3
- 改进了CdV/dt栅极耦合抗扰性
应用
- 同步整流
- 一次侧开关
- DC/DC转换器
- 电信砖式模块
- PC
- 服务器
- 适配器与充电器开关
- 负载开关
- 电机驱动开关
- 工业
功率MOSFET信息图
低功率MOSFET信息图
中压功率MOSFET信息图
SiR626DP 60V 1.5mΩ N沟道MOSFET信息图
视频
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