Vishay General Semiconductor V8PAM10S沟槽式MOS势垒肖特基整流器
Vishay V8PAM10S沟槽式MOS势垒肖特基 (TMBS) 整流器具有100V最大重复峰值反向电压 (VRRM) 和90A最大峰值正向浪涌电流 (IFSM)。这些整流器外形极其纤薄，非常适合用于自动贴装应用。这些器件使用Vishay的沟槽式MOS肖特基技术，具有低正向电压降、低功耗和高效率等特性。每个Vishay V8PAM10S器件均可符合AEC-Q101标准。这些特性使得该器件非常适合用于商业和汽车应用中的高频逆变器、续流、直流/直流转换器和极性保护。
特性
- 超薄外形 - 典型高度为0.95mm
- 非常适合自动贴装
- 沟槽式MOS肖特基技术
- 功耗低、效率高
- 低正向电压降
- 达到MSL 1级要求，符合J-STD-020标准，LF最大峰值为260°C
- 可提供符合AEC-Q101标准的版本
- 汽车订购编号：P/NHM3
应用
- 高频逆变器
- 续流
- 直流/直流转换器
- 极性保护
规范
- SMPA (DO-221BC) 外壳
- 模压化合物符合UL 94 V-0阻燃等级
- Base P/N-M3 - 无卤素、符合RoHS指令
- Base P/NHM3 - 无卤素、符合RoHS指令和AEC-Q101标准
- 亚光镀锡引线，可按照J-STD-002和JESD22-B102端子标准焊接
- M3和HM3后缀通过JESD 201 2类晶须测试
- 色带表示极性阴极端
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发布日期: 2020-06-11
| 更新日期: 2025-01-08