Vishay General Semiconductor TMBS® 槽沟式 MOS 势垒肖特基
威世半导体 TMBS® Trench MOS 势垒肖特基是获得专利的 Trench MOS 势垒肖特基 (TMBS®) 整流器,它有从 45V 到 200V 的七种电压额定值、若干种不同的封装选择,来满足多种系统需要。TMBS 和平面肖特基整流器相比有若干优势。当工作电压升到 45V 及以上水平时,平面肖特基整流器的快速开关速度和低正向电压降优势将大幅丧失。获得专利的 TMBS 结构可有效解决这一问题,方法是减少注入到漂移区的少数载流子,从而最大限度减少存储电荷,提高开关速度。
特性
- Patented Trench structure
- Voltage ratings
- 45V
- 50V
- 60V
- 80V
- 100V
- 120V
- 150V
- 200V
- Improved efficiency in AC/DC SMPS and DC/DC converters
- High power density and low forward voltage
- Multiple package options
应用
- Adaptors for LCD monitors/TVs, mini PCs
- PC and server power supplies
- AC/DC SMPS
- DC/DC converters
- Telecom and server OR-ing diodes
- Solar cell junction box as a bypass diode for protection
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45V TMBS® rectifiers in an SMPC package.
80V和100V Trench MOS肖特基整流器具有极低的正向压降和优异的雪崩能力。
Wide range of current ratings from 10A to 80A in three power packages.
低正向电压降、低功率损耗,具有非常薄的厚度(典型侧高 1.7 mm)
采用针对表面贴装应用的薄型封装,非常适合用于自动贴装应用。
采用薄型封装,非常适合用于多用途应用中的自动贴装。
利用更好的热性能和可靠性实现了更高的电流处理能力及功率效率。
100V最大重复峰值反向电压,90A最大峰值正向浪涌电流。
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包括各种电阻器、整流器、 TVS二极管、热敏电阻器、电感器等。
发布日期: 2013-09-06
| 更新日期: 2023-06-26