STAC4932B

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Mouser编号：

511-STAC4932B

制造商编号：

STAC4932B

制造商：

STMicroelectronics

说明：

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR 1000w/m 26dB N-Ch 123 MHz VHF/UHF

完成您的设计

寿命周期:

停产

数据表:

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Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
发货限制：	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS:
晶体管极性:	N-Channel
技术:	Si
Id-连续漏极电流:	1 mA
Vds-漏源极击穿电压:	200 V
工作频率:	250 MHz
增益:	26 dB
输出功率:	1.2 kW
最小工作温度:	- 65 C
最大工作温度:	+ 150 C
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	STAC244B
封装:	Tray
商标:	STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值:	6 S
产品类型:	RF MOSFET Transistors
系列:	STAC4932B
工厂包装数量:	80
子类别:	MOSFETs
类型:	RF Power MOSFET
Vgs - 栅极-源极电压:	+ 20 V
单位重量:	2.100 g

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已选择的属性: 0

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数据表

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PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

STAC4932B RF Power Transistors

STMicroelectronics STAC4932B RF power transistors are designed for use in 100 V pulse applications up to 250 MHz. STMicroelectronics STAC4932B RF power transistors feature excellent thermal stability and common source push-pull configuration. These STMicroelectronics N-channel field-effect RF power transistors benefit from highly efficient STAC® (ST Air Cavity) packaging technology.
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