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STP315N10F7

Name: STMicroelectronics STP315N10F7
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP315N10F7
Price: 16.4 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

511-STP315N10F7

制造商编号：

STP315N10F7

制造商：

STMicroelectronics

说明：

MOSFET Automotive-grade N-channel 100 V, 2.3 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET

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数据表:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	100 V
Id-连续漏极电流:	180 A
Rds On-漏源导通电阻:	2.3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.5 V
Qg-栅极电荷:	180 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	315 W
通道模式:	Enhancement
资格:	AEC-Q101
商标名:	STripFET
封装:	Tube
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
下降时间:	40 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	108 ns
系列:	STP315N10F7
工厂包装数量:	1000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	148 ns
典型接通延迟时间:	62 ns
单位重量:	2 g

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已选择的属性: 0

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数据表

STP315N10F7 数据表 (PDF)

PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 意大利
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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