STQ2LN60K3-AP

Name: STMicroelectronics STQ2LN60K3-AP
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STQ2LN60K3AP
Price: 7.03 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

511-STQ2LN60K3AP

制造商编号：

STQ2LN60K3-AP

制造商：

STMicroelectronics

说明：

MOSFET N-Ch 600V 4 Ohm 0.6A SuperMESH3 FET TO92

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数据表:

STQ2LN60K3-AP 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-92-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	600 V
Id-连续漏极电流:	600 mA
Rds On-漏源导通电阻:	4.5 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 30 V, 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.5 V
Qg-栅极电荷:	12 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	2.5 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	MDmesh
封装:	Ammo Pack
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
下降时间:	21 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	8.5 ns
系列:	STQ2LN60K3-AP
工厂包装数量:	2000
子类别:	Transistors
典型关闭延迟时间:	23.5 ns
典型接通延迟时间:	10 ns
单位重量:	453.600 mg

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PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 新加坡
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥7.9439	¥7.94
	¥3.6273	¥36.27
	¥3.2092	¥320.92
	¥2.4634	¥1,231.70
整卷弹药盒（请按2000的倍数订购）
	¥2.0001	¥4,000.20
	¥1.7515	¥7,006.00
	¥1.6385	¥16,385.00
	¥1.6272	¥39,052.80

STQ2LN60K3-AP

制造商： STMicroelectronics

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