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STU5N60M2

Name: STMicroelectronics STU5N60M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STU5N60M2
Price: 16.69 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

511-STU5N60M2

制造商编号：

STU5N60M2

制造商：

STMicroelectronics

说明：

MOSFET N-Ch 600V 1.26Ohm typ. 3.7A MDmesh M2

完成您的设计

寿命周期:

寿命结束:

将过时且制造商将停产。

数据表:

STU5N60M2 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-251-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	3.7 A
Rds On-漏源导通电阻:	1.4 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 25 V, 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3 V
Qg-栅极电荷:	4.5 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	45 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	MDmesh
封装:	Tube
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
产品类型:	MOSFETs
系列:	STU5N60M2
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
单位重量:	340 mg

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已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

STU5N60M2 数据表 (PDF)

EOL

Product Discontinuation Notification 2025-4-3 (PDF)

PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

功率MOSFET和IGBT中的最新技术

STMicroelectronics为功率MOSFET和IGBT提供最新技术。ST提供各种MOSFET和IGBT组合，满足SMPS、照明、电机控制和各种工业应用的特定需要。ST的产品组合包括高压超结MOSFET和沟槽式栅极场终止IGBT（用于硬开关和软开关拓扑）和低压沟槽式MOSFET（用于电源转换和BLDC电机驱动器）。ST的最新款1200V SiC MOSFET具有业内最高的额定结温 (200°C)，超小RDS(on) 区域（随温度变化非常小）以及出色的开关性能，从而实现更有效和更紧凑的SMPS设计。对于电机控制，M系列IGBT具有经过优化的VCE(SAT) 和 E (off) 平衡以及超高的短路额定值。了解ST出品的用于任何电源设计的全系列MOSFET和IGBT产品。