NTLCC3D5N10GN1TWG

Name: onsemi NTLCC3D5N10GN1TWG
Brand: onsemi
SKU: 863-TLCC3D5N10GN1TWG
Price: 41.43 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

863-TLCC3D5N10GN1TWG

制造商编号：

NTLCC3D5N10GN1TWG

制造商：

onsemi

说明：

GaN 场效应晶体管 GaNEXUS FET, 100V, 2.7m, 3.3x3.3 Dual Cool

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	GaN 场效应晶体管
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PTFP-N9
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	100 V
Id-连续漏极电流:	183 A
Rds On-漏源导通电阻:	2.7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 4 V to 6 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.1 V
Qg-栅极电荷:	7.3 nC
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	250 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	GaNEXUS
技术:	GaN
商标:	onsemi
配置:	Single
湿度敏感性:	Yes
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
产品:	HEMTs
产品类型:	GaN FETs
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
类型:	Enhancement Mode Gallium Nitride HEMT

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数据表

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合规代码

ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

GaNEXUS™ GaN FET

安森美 (onsemi) GaNEXUS™氮化镓场效应晶体管 (GaN FET) 利用氮化镓的宽带隙材料特性，与硅材料功率晶体管相比，可实现快速开关、低栅极和输出电荷以及增强的效率。这些特性可实现更高的工作频率、更高的功率密度以及在低、中、高和超高电压电源转换应用中减少磁性元件的数量。增强模式的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT具有40V至650V的电压范围，包括集成保护功能的650V GaNEXUS智能氮化镓场效应晶体管，以提高可靠性并简化系统集成。安森美 (onsemi) GaNEXUS系列的理想应用包括工业自动化、机器人、人工智能数据中心、汽车电气化和能源基础设施。

特色产品

ONSEMI

GaNEXUS™ GaN FET

宽带隙材料特性，可实现低栅极和输出电荷、快速开关和效率提升。

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NTLCC3D5N10GN1TWG

制造商： onsemi

说明： GaN 场效应晶体管 GaNEXUS FET, 100V, 2.7m, 3.3x3.3 Dual Cool

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GaNEXUS™ GaN FET

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