NTMFS4D0N08XT1G

Name: onsemi NTMFS4D0N08XT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS4D0N08XT1G
Price: 16.03 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-NTMFS4D0N08XT1G

制造商编号：

NTMFS4D0N08XT1G

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

数据表:

NTMFS4D0N08XT1G 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SO-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	80 V
Id-连续漏极电流:	119 A
Rds On-漏源导通电阻:	3.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.6 V
Qg-栅极电荷:	21 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 170 C
Pd-功率耗散:	107 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	5 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	6 ns
系列:	NTMFS4D0N08X
工厂包装数量:	1500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	30 ns
典型接通延迟时间:	21 ns

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数据表

NTMFS4D0N08XT1G 数据表 (PDF)

PCN

Product Change Notification 2025-2-27 (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 马来西亚
组装原产国/地区:: 马来西亚
扩散国家:: 日本

发货时，国家/地区可能会发生变化。

PowerTrench技术

安森美 (onsemi) PowerTrench技术代表了PowerTrench技术的进步，特别是从T6到T10的转变标志着电力电子产品领域的突破。由安森美 (onsemi) 开发的PowerTrench MOSFET可为各种应用提供增强的效率和性能。从T6/T8到T10的转变显著提高了导通电阻和开关性能，这对于节能设计至关重要。