CoolSiC™ 650 V G2碳化硅MOSFET

英飞凌科技CoolSiC™ 650V G2碳化硅MOSFET利用 碳化硅的性能能力，降低能量损耗，从而在电源转换过程中实现更高的效率。 英飞凌CoolSiC 650V G2 MOSFET为光伏、储能、直流电动汽车充电、电机驱动器和工业电源等各种功率半导体应用带来优势。配备CoolSiC G2的电动汽车DC快速充电站与上一代产品相比，功率损耗可减少10%，同时在不影响外形因子的前提下，实现更高的充电容量。

结果: 53
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描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2
数据表
272库存量
720在途量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 32.8 A 73 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 19 nC - 55 C + 175 C 130 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2
数据表
9库存量
720预期 2027/2/25
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 144 A 13.1 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 112 nC - 55 C + 175 C 440 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
1,112库存量
1,800预期 2027/2/4
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,800

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 15 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
1,733库存量
最低： 1
倍数： 1
: 1,800

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 20 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
954库存量
最低： 1
倍数： 1
: 1,800

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 40 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
1,271库存量
最低： 1
倍数： 1
: 1,800

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 50 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
1,753库存量
最低： 1
倍数： 1
: 1,800

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 60 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
520库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 93 A 18 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 79 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
570库存量
240预期 2026/8/27
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 83 A 24 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 57 nC - 55 C + 175 C 273 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
914库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 38 A 62 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 22 nC - 55 C + 175 C 153 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
293库存量
最低： 1
倍数： 1
: 2,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 50 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
32库存量
480在途量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 49 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 28 nC - 55 C + 175 C 172 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
241库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 38 A 62 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 22 nC - 55 C + 175 C 153 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
39库存量
4,000预期 2027/3/25
最低： 1
倍数： 1
: 2,000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 48.1 A 62 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 22 nC - 55 C + 175 C 237 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
5库存量
2,000预期 2026/10/29
最低： 1
倍数： 1
: 2,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
19库存量
最低： 1
倍数： 1
: 2,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 60 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
11库存量
480在途量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 26.6 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2
数据表
5库存量
720预期 2026/9/17
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 64 A 33 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2
数据表
18库存量
480在途量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 32.8 A 73 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 19 nC - 55 C + 175 C 130 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
1,500在途量
最低： 1
倍数： 1
: 750

SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 196 A 8.5 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 179 nC - 55 C + 175 C 937 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling
数据表
4,396在途量
最低： 1
倍数： 1
: 1,800

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 82 A 33 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 365 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
4,000预期 2027/2/25
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 2,000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 131 A 18 mOhms - 7 V to 23 V 4.5 V 148 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
3,972预期 2027/4/29
最低： 1
倍数： 1
: 2,000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 58.7 A 49 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 28 nC - 55 C + 175 C 277 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2
数据表
6,480在途量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 53 A 41 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
15,600在途量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 49 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 28 nC - 55 C + 175 C 172 W Enhancement CoolSiC