EasyPACK™ C系列CoolSiC MOSFET模块

英飞凌EasyPACK™ C系列CoolSiC MOSFET模块将第二代CoolSiC沟槽MOSFET与低电感Easy C系列平台及XT.互连技术相结合。该系列英飞凌模块在功率循环过程中具备超低开关损耗、更严格的寄生控制以及更高的稳健性。坚固耐用的PressFIT压接引脚、集成NTC检测、集成安装卡扣以及高CTI绝缘材料可简化组装流程，且支持严苛的任务工况需求。该系列产品提供四组（F4）和三电平（F3）拓扑结构，以及8mΩ和13mΩ两种电阻等级，可帮助用户提高开关频率、减小磁性元件尺寸并提升功率密度，同时保持EMI性能和热裕量。

结果: 6
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
系列
封装
Infineon Technologies MOSFET模块 EasyPACK 2C CoolSiC MOSFET M2 .XT, 3-level module 1200 V, 8 mOhm with NTC temperature sensor and high current PressFIT contact technology
数据表
34库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Press Fit 1.2 kV 95 A 16.8 mOhms - 10 V, + 25 V 4.3 V - 40 C + 175 C 20 mW EasyPACK C series Tray
Infineon Technologies MOSFET模块 EasyPACK 2C CoolSiC MOSFET M2 .XT, 3-level module 1200 V, 8 mOhm with NTC temperature sensor, pre-applied thermal interface material 2.0 and high current PressFIT contact technology
数据表
16库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Press Fit 1.2 kV 95 A 16.8 mOhms - 10 V, + 25 V 4.3 V - 40 C + 175 C 20 mW EasyPACK C series Tray
Infineon Technologies MOSFET模块 EasyPACK 1C CoolSiC MOSFET M2 .XT, fourpack module 1200 V, 13 mOhm with NTC temperature sensor and high current PressFIT contact technology
数据表
23库存量
24预期 2026/8/3
最低： 1
倍数： 1

SiC Press Fit 1.2 kV 60 A 25.2 mOhms - 10 V, + 25 C 4.35 V - 40 C + 175 C 20 mW EasyPACK C series Tray
Infineon Technologies MOSFET模块 EasyPACK 1C CoolSiC MOSFET M2 .XT, fourpack module 1200 V, 13 mOhm with NTC temperature sensor, pre-applied thermal interface material 2.0 and high current PressFIT contact technology
数据表
30库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Press Fit 1.2 kV 60 A 25.2 mOhms - 10 V, + 25 V 4.3 V - 40 C + 175 C 20 mW EasyPACK C series Tray
Infineon Technologies MOSFET模块 EasyPACK 2C CoolSiC MOSFET M2 .XT, fourpack module 1200 V, 8 mOhm with NTC temperature sensor and high current PressFIT contact technology
数据表
15库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Press Fit 1.2 kV 95 A 16.8 mOhms - 10 V, + 25 V 4.3 V - 40 C + 175 C 20 mW EasyPACK C series Tray
Infineon Technologies MOSFET模块 EasyPACK 2C CoolSiC MOSFET M2 .XT, fourpack module 1200 V, 8 mOhm with NTC temperature sensor, pre-applied thermal interface material 2.0 and high current PressFIT contact technology
数据表
18预期 2026/8/3
最低： 1
倍数： 1

SiC Press Fit 1.2 kV 100 A 16.8 mOhms - 10 V, + 25 V 4.3 V - 40 C + 175 C 20 mW EasyPACK C series Tray