GaN 场效应晶体管

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GaNEXUS™ GaN FET

安森美 (onsemi) GaNEXUS™氮化镓场效应晶体管 (GaN FET) 利用氮化镓的宽带隙材料特性，与硅材料功率晶体管相比，可实现快速开关、低栅极和输出电荷以及增强的效率。这些特性可实现更高的工作频率、更高的功率密度以及在低、中、高和超高电压电源转换应用中减少磁性元件的数量。增强模式的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT具有40V至650V的电压范围，包括集成保护功能的650V GaNEXUS智能氮化镓场效应晶体管，以提高可靠性并简化系统集成。安森美 (onsemi) GaNEXUS系列的理想应用包括工业自动化、机器人、人工智能数据中心、汽车电气化和能源基础设施。

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封装 / 箱体

晶体管极性

Vds-漏源极击穿电压

Id-连续漏极电流

Rds On-漏源导通电阻

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图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	安装风格	封装 / 箱体	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	商标名	最大工作频率	技术
GaN 场效应晶体管 650V 35MR LGAN TOLL NTBL035N65GN1TXG onsemi 1: ¥131.193 2,400库存量新产品	制造商零件编号 NTBL035N65GN1TXG Mouser 零件编号 863-NTBL035N65GN1TXG 新产品	onsemi	GaN 场效应晶体管 650V 35MR LGAN TOLL 了解更多关于onsemi ganexus fets 的信息	数据表	2,400库存量	剪切带 ¥131.193 ¥77.8344 卷轴 ¥63.6077 报价报价	最低： 1 倍数： 1 : 1,200	SMD/SMT	PDSO-F9	HEMT	1 Channel	650 V	64 A	27 mOhms	- 6 V, + 7 V	1.5 V	21 nC	- 55 C	+ 150 C	367 W	Enhancement	GaNEXUS		GaN
GaN 场效应晶体管 650V 50MR LGAN TOLL NTBL050N65GN1TXG onsemi 1: ¥94.2985 2,400库存量新产品	制造商零件编号 NTBL050N65GN1TXG Mouser 零件编号 863-NTBL050N65GN1TXG 新产品	onsemi	GaN 场效应晶体管 650V 50MR LGAN TOLL 了解更多关于onsemi ganexus fets 的信息	数据表	2,400库存量	剪切带 ¥94.2985 ¥52.6919 ¥50.624 卷轴 ¥41.358	最低： 1 倍数： 1 : 1,200	SMD/SMT	PDSO-F9	HEMT	1 Channel	650 V	40 A	39 mOhms	- 6 V, + 7 V	1.5 V	10.6 nC	- 55 C	+ 150 C	250 W	Enhancement	GaNEXUS		GaN
GaN 场效应晶体管 700V 75MR TYP 100MR MAX LGAN IN TO252/DPAK NTD100N70GN1TXG onsemi 1: ¥26.9618 1,932库存量新产品	制造商零件编号 NTD100N70GN1TXG Mouser 零件编号 863-NTD100N70GN1TXG 新产品	onsemi	GaN 场效应晶体管 700V 75MR TYP 100MR MAX LGAN IN TO252/DPAK 了解更多关于onsemi ganexus fets 的信息	数据表	1,932库存量	剪切带 ¥26.9618 ¥17.5376 ¥12.0797 ¥10.0909 ¥9.3451 卷轴 ¥8.7688	最低： 1 倍数： 1 : 2,500	SMD/SMT	DPAK-3	N-Channel	1 Channel	700 V	21 A	100 mOhms	- 6 V, + 7 V	2.5 V	3.8 nC	- 55 C	+ 150 C	105 W	Enhancement	GaNEXUS		GaN
GaN 场效应晶体管 700V 75MR TYP 100MR MAX LGAN IN DFN 8X8 NTMT100N70GN1TXG onsemi 1: ¥29.1992 1,954库存量新产品	制造商零件编号 NTMT100N70GN1TXG Mouser 零件编号 863-NTMT100N70GN1TXG 新产品	onsemi	GaN 场效应晶体管 700V 75MR TYP 100MR MAX LGAN IN DFN 8X8 了解更多关于onsemi ganexus fets 的信息	数据表	1,954库存量	剪切带 ¥29.1992 ¥19.0292 ¥13.3227 ¥11.1644 ¥10.3395 卷轴 ¥9.7632	最低： 1 倍数： 1 : 2,500	SMD/SMT	DFN-9	N-Channel	1 Channel	700 V	21 A	100 mOhms	- 6 V, + 7 V	2.5 V	3.8 nC	- 55 C	+ 150 C	111 W	Enhancement	GaNEXUS		GaN
GaN 场效应晶体管 700V 101MR TYP 130MR MAX LGAN IN DFN 8X8 NTMT130N70GN1TXG onsemi 1: ¥26.6341 1,970库存量新产品	制造商零件编号 NTMT130N70GN1TXG Mouser 零件编号 863-NTMT130N70GN1TXG 新产品	onsemi	GaN 场效应晶体管 700V 101MR TYP 130MR MAX LGAN IN DFN 8X8 了解更多关于onsemi ganexus fets 的信息	数据表	1,970库存量	剪切带 ¥26.6341 ¥17.289 ¥11.9102 ¥9.9214 ¥9.1869 卷轴 ¥8.6897	最低： 1 倍数： 1 : 2,500	SMD/SMT	DFN-9	N-Channel	1 Channel	700 V	16 A	130 mOhms	- 6 V, + 7 V	2.5 V	2.65 nC	- 55 C	+ 150 C	84 W	Enhancement	GaNEXUS		GaN
GaN 场效应晶体管 700V 132MR TYP 170MR MAX LGAN IN DFN 8X8 NTMT170N70GN1TXG onsemi 1: ¥14.4753 2,500库存量新产品	制造商零件编号 NTMT170N70GN1TXG Mouser 零件编号 863-NTMT170N70GN1TXG 新产品	onsemi	GaN 场效应晶体管 700V 132MR TYP 170MR MAX LGAN IN DFN 8X8 了解更多关于onsemi ganexus fets 的信息	数据表	2,500库存量	剪切带 ¥14.4753 ¥9.6728 ¥8.1134 ¥7.8535 卷轴 ¥7.5823 ¥7.3337	最低： 1 倍数： 1 : 2,500	SMD/SMT	DFN-9	N-Channel	1 Channel	700 V	12 A	170 mOhms	- 6 V, + 7 V	2.5 V	2.1 nC	- 55 C	+ 150 C	69 W	Enhancement	GaNEXUS		GaN
GaN 场效应晶体管 100V 2.5MR LGAN IN 3.3X3.3 LGA DUAL COOL NTLCC3D5N10GN1TWG onsemi 1: ¥51.4489 1,750库存量新产品	制造商零件编号 NTLCC3D5N10GN1TWG Mouser 零件编号 863-TLCC3D5N10GN1TWG 新产品	onsemi	GaN 场效应晶体管 100V 2.5MR LGAN IN 3.3X3.3 LGA DUAL COOL 了解更多关于onsemi ganexus fets 的信息	数据表	1,750库存量	剪切带 ¥51.4489 ¥33.7531 ¥24.8148 ¥22.0802 ¥19.5264 卷轴 ¥19.5264	最低： 1 倍数： 1 : 2,500	SMD/SMT	PTFP-N9	N-Channel	1 Channel	100 V	183 A	2.7 mOhms	- 4 V to 6 V	2.1 V	7.3 nC	- 40 C	+ 150 C	250 W	Enhancement	GaNEXUS		GaN
GaN 场效应晶体管 100V 5MR LGAN IN 3.3X3.3 LGA DUAL COOL NTLCC5D0N10GN1TWG onsemi 1: ¥38.3748 1,741库存量新产品	制造商零件编号 NTLCC5D0N10GN1TWG Mouser 零件编号 863-TLCC5D0N10GN1TWG 新产品	onsemi	GaN 场效应晶体管 100V 5MR LGAN IN 3.3X3.3 LGA DUAL COOL 了解更多关于onsemi ganexus fets 的信息	数据表	1,741库存量	剪切带 ¥38.3748 ¥25.1425 ¥18.7806 ¥15.7183 ¥14.6448 卷轴 ¥13.6504	最低： 1 倍数： 1 : 2,500	SMD/SMT	PTFP-N9	N-Channel	1 Channel	100 V	146 A	3.8 mOhms	- 4 V to 6 V		5.2 nC	- 40 C	+ 150 C	208 W	Enhancement	GaNEXUS		GaN
GaN 场效应晶体管 700V 132MR TYP 170MR MAX LGAN IN TO252/DPAK NTD170N70GN1TXG onsemi 1: ¥11.9893 1,983库存量新产品	制造商零件编号 NTD170N70GN1TXG Mouser 零件编号 863-NTD170N70GN1TXG 新产品	onsemi	GaN 场效应晶体管 700V 132MR TYP 170MR MAX LGAN IN TO252/DPAK 了解更多关于onsemi ganexus fets 的信息	数据表	1,983库存量	剪切带 ¥11.9893 ¥7.9213 ¥6.5992 ¥6.3393 ¥6.328 卷轴 ¥5.9099	最低： 1 倍数： 1 : 2,500	SMD/SMT	PDSO-E3	N-Channel	1 Channel	700 V	12 A	170 mOhms	- 6 V, + 7 V	2.5 V	2.1 nC	- 55 C	+ 150 C	64 W	Enhancement	GaNEXUS		GaN
GaN 场效应晶体管 650V 35MR LGAN TOLT NTBT035N65GN1TXG onsemi 1: ¥125.3961 2,400预期 2026/12/11 新产品	制造商零件编号 NTBT035N65GN1TXG Mouser 零件编号 863-NTBT035N65GN1TXG 新产品	onsemi	GaN 场效应晶体管 650V 35MR LGAN TOLT 了解更多关于onsemi ganexus fets 的信息	数据表	2,400预期 2026/12/11	剪切带 ¥125.3961 ¥73.9472 卷轴 ¥69.3933 查看报价	最低： 1 倍数： 1 : 1,200	SMD/SMT	PDSO-G16	HEMT	1 Channel	650 V	64 A	27 mOhms	- 6 V, + 7 V	1.5 V	16 nC	- 55 C	+ 150 C	462 W	Enhancement	GaNEXUS		GaN
GaN 场效应晶体管 GaNEXUS SMART, 650V, 42m, TOLL NCP58933ABLTXG onsemi 1: ¥97.6885 1,200预期 2026/12/4 新产品	制造商零件编号 NCP58933ABLTXG Mouser 零件编号 863-NCP58933ABLTXG 新产品	onsemi	GaN 场效应晶体管 GaNEXUS SMART, 650V, 42m, TOLL 了解更多关于onsemi ganexus fets 的信息	数据表	1,200预期 2026/12/4	剪切带 ¥97.6885 ¥70.6363 ¥58.8956 ¥52.4433 卷轴 ¥44.4994	最低： 1 倍数： 1 : 1,200	SMD/SMT	PDSO-F9	N-Channel	1 Channel	650 V	54 A	55 mOhms	22 V				+ 150 C	271 W	Enhancement	GaNEXUS	2 MHz	GaN
GaN 场效应晶体管 GaNEXUS SMART, 650V, 42m, TOLT NCP58933ABTTXG onsemi 1: ¥90.1627 1,200预期 2027/1/11 新产品	制造商零件编号 NCP58933ABTTXG Mouser 零件编号 863-NCP58933ABTTXG 新产品	onsemi	GaN 场效应晶体管 GaNEXUS SMART, 650V, 42m, TOLT 了解更多关于onsemi ganexus fets 的信息	数据表	1,200预期 2027/1/11	剪切带 ¥90.1627 ¥65.2575 ¥56.161 ¥52.5224 卷轴 ¥49.0533	最低： 1 倍数： 1 : 1,200	SMD/SMT	PDSO-G16	N-Channel	1 Channel	650 V	54 A	55 mOhms	22 V				+ 150 C	338 W	Enhancement	GaNEXUS		GaN
GaN 场效应晶体管 650V 50MR LGAN TOLT NTBT050N65GN1TXG onsemi 1: ¥90.3209 2,400预期 2026/12/8 新产品	制造商零件编号 NTBT050N65GN1TXG Mouser 零件编号 863-NTBT050N65GN1TXG 新产品	onsemi	GaN 场效应晶体管 650V 50MR LGAN TOLT 了解更多关于onsemi ganexus fets 的信息	数据表	2,400预期 2026/12/8	剪切带 ¥90.3209 ¥58.8956 ¥51.4489 ¥47.9798 卷轴 ¥44.3412	最低： 1 倍数： 1 : 1,200	SMD/SMT	PDSO-G16	HEMT	1 Channel	650 V	40 A	39 mOhms	- 6 V, + 7 V	1.5 V	10.9 nC	- 55 C	+ 150 C	312 W	Enhancement	GaNEXUS		GaN
GaN 场效应晶体管 ENGINEERING SAMPLE - GaNEXUS SMART, 650V, 19m, TOLL ENGNCP58935ABLTXG onsemi 受限供货情况新产品	制造商零件编号 ENGNCP58935ABLTXG Mouser 零件编号 863-ENGNCP58935ABLTX 新产品	onsemi	GaN 场效应晶体管 ENGINEERING SAMPLE - GaNEXUS SMART, 650V, 19m, TOLL 了解更多关于onsemi ganexus fets 的信息 Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。	数据表	更多信息可用		受限供货情况	SMD/SMT	PDSO-F9	N-Channel	1 Channel	650 V	75 A	25 mOhms	10 V to 24 V				+ 150 C		Enhancement	GaNEXUS	2 MHz	GaN
GaN 场效应晶体管 ENGINEERING SAMPLE - GaNEXUS SMART, 650V, 19m, TOLT ENGNCP58935ABTTXG onsemi 受限供货情况新产品	制造商零件编号 ENGNCP58935ABTTXG Mouser 零件编号 863-ENGNCP58935ABTTX 新产品	onsemi	GaN 场效应晶体管 ENGINEERING SAMPLE - GaNEXUS SMART, 650V, 19m, TOLT 了解更多关于onsemi ganexus fets 的信息 Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。	数据表	更多信息可用		受限供货情况	SMD/SMT	PDSO-G16	N-Channel	1 Channel	650 V	75 A	25 mOhms	10 V to 24 V				+ 150 C		Enhancement	GaNEXUS	2 MHz	GaN
GaN 场效应晶体管 ENGINEERING SAMPLE - GaNEXUS FET, 40V, 0.5m, 5x6 Dual Cool ENGNTLEF0D7N04GN1TXG onsemi 受限供货情况新产品	制造商零件编号 ENGNTLEF0D7N04GN1TXG Mouser 零件编号 863-ENGNTLEF0D7N04GN 新产品	onsemi	GaN 场效应晶体管 ENGINEERING SAMPLE - GaNEXUS FET, 40V, 0.5m, 5x6 Dual Cool 了解更多关于onsemi ganexus fets 的信息 Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。	数据表	更多信息可用		受限供货情况	SMD/SMT	PDSO-N8	N-Channel	1 Channel	40 V	819 A	0.7 mOhms	- 4 V to 6 V	1.2 V	52 nC	- 40 C	+ 150 C	962 W	Enhancement	GaNEXUS		GaN
GaN 场效应晶体管 ENGINEERING SAMPLE - GaNEXUS FET, 100V, 0.8m, 5x6 Dual Cool ENGNTLEF1D0N10GN1TXG onsemi 受限供货情况新产品	制造商零件编号 ENGNTLEF1D0N10GN1TXG Mouser 零件编号 863-ENGNTLEF1D0N10GN 新产品	onsemi	GaN 场效应晶体管 ENGINEERING SAMPLE - GaNEXUS FET, 100V, 0.8m, 5x6 Dual Cool 了解更多关于onsemi ganexus fets 的信息 Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。	数据表	更多信息可用		受限供货情况	SMD/SMT	PDSO-N8	N-Channel	1 Channel	100 V		1 mOhms	- 4 V to 6 V	1.1 V	39 nC	- 55 C	+ 150 C		Enhancement	GaNEXUS		GaN
GaN 场效应晶体管 ENGINEERING SAMPLE - GaNEXUS FET, 100V, 1.1m, 5x6 Dual Cool ENGNTLEF1D5N10GN1TXG onsemi 受限供货情况新产品	制造商零件编号 ENGNTLEF1D5N10GN1TXG Mouser 零件编号 863-ENGNTLEF1D5N10GN 新产品	onsemi	GaN 场效应晶体管 ENGINEERING SAMPLE - GaNEXUS FET, 100V, 1.1m, 5x6 Dual Cool 了解更多关于onsemi ganexus fets 的信息 Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。	数据表	更多信息可用		受限供货情况	SMD/SMT	PDSO-N8	N-Channel	1 Channel	100 V	474 A	1.5 mOhms	- 4 V to 6 V	1.1 V	19 nC	- 55 C	+ 150 C	658 W	Enhancement	GaNEXUS		GaN
GaN 场效应晶体管 ENGINEERING SAMPLE - GaNEXUS FET, 150V, 1.6m, 5x6 Dual Cool ENGNTLEF2D2N15GN1TXG onsemi 受限供货情况新产品	制造商零件编号 ENGNTLEF2D2N15GN1TXG Mouser 零件编号 863-ENGNTLEF2D2N15GN 新产品	onsemi	GaN 场效应晶体管 ENGINEERING SAMPLE - GaNEXUS FET, 150V, 1.6m, 5x6 Dual Cool 了解更多关于onsemi ganexus fets 的信息 Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。	数据表	更多信息可用		受限供货情况	SMD/SMT	PDSO-N8	N-Channel	1 Channel	150 V		2.2 mOhms	- 4 V to 6 V	1.1 V	34 nC	- 55 C	+ 150 C		Enhancement	GaNEXUS		GaN
GaN 场效应晶体管 ENGINEERING SAMPLE - GaNEXUS FET, 100V, 1.9m, 5x6 Dual Cool ENGNTLEF2D5N10GN1TXG onsemi 受限供货情况新产品	制造商零件编号 ENGNTLEF2D5N10GN1TXG Mouser 零件编号 863-ENGNTLEF2D5N10GN 新产品	onsemi	GaN 场效应晶体管 ENGINEERING SAMPLE - GaNEXUS FET, 100V, 1.9m, 5x6 Dual Cool 了解更多关于onsemi ganexus fets 的信息 Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。	数据表	更多信息可用		受限供货情况	SMD/SMT	PDSO-N8	N-Channel	1 Channel	100 V	275 A	2.5 mOhms	- 4 V to 6 V	1.2 V	11 nC	- 55 C	+ 150 C	378 W	Enhancement	GaNEXUS		GaN
GaN 场效应晶体管 ENGINEERING SAMPLE - GaNEXUS FET, 200V, 2.6m, 5x6 Dual Cool ENGNTLEF3D6N20GN1TXG onsemi 受限供货情况新产品	制造商零件编号 ENGNTLEF3D6N20GN1TXG Mouser 零件编号 863-ENGNTLEF3D6N20GN 新产品	onsemi	GaN 场效应晶体管 ENGINEERING SAMPLE - GaNEXUS FET, 200V, 2.6m, 5x6 Dual Cool 了解更多关于onsemi ganexus fets 的信息 Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。	数据表	更多信息可用		受限供货情况	SMD/SMT	PDSO-N8	N-Channel	1 Channel	200 V		3.6 mOhms	- 4 V to 6 V	1.1 V	30 nC	- 55 C	+ 150 C		Enhancement	GaNEXUS		GaN

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