M2 EliteSiC MOSFET

安森美M2 EliteSiC MOSFET提供650VMHz、750VMHz和1200V电压选项。安森美M2 MOSFET有多种封装可供选择,包括D2PAK7、H-PSOF8L、TDFN4 8x8、TO-247-3LD和TO-247-4LD。MOSFET在设计和实施方面提供了灵活性。此外,M2 EliteSiC MOSFET具有+22V/-8V的最大栅极-源极电压、低RDS(on) 和长短路耐受时间(SCWT)。

结果: 46
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 资格 商标名

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V 639库存量
¥73.0432
¥48.3866
¥44.6689
¥44.3412
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 38 A 85 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 61 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOSFET 900V TO247-4L 20MOHM 2,211库存量
¥226.3955
¥167.7485
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 900 V 118 A 28 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 196 nC - 55 C + 175 C 484 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V 3,250库存量
剪切带
¥227.0509
¥176.5964
¥168.4943
¥167.1722
卷轴
¥167.1722
最低: 1
倍数: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 145 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V 449库存量
¥172.9578
¥113.4068
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 99 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V 766库存量
¥90.0723
¥51.528
¥47.8894
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 38 A 85 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 61 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET 60MOHM 900V 1,028库存量
¥95.9483
¥66.5005
¥64.6812
最低: 1
倍数: 1
最大: 450
Through Hole TO-247-3 1 Channel 900 V 46 A 84 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 87 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS 20MOHM 900V 1,858库存量
剪切带
¥231.0285
¥179.2406
¥169.6469
卷轴
¥169.6469
最低: 1
倍数: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 900 V 112 A 28 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 200 nC - 55 C + 175 C 477 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V 1,282库存量
剪切带
¥193.7159
¥144.6739
¥125.0684
¥112.1638
卷轴
¥112.1638
最低: 1
倍数: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 106 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V 438库存量
¥113.0678
¥69.156
¥65.2575
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 66 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 291 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V 497库存量
¥83.8686
¥55.6638
¥52.4433
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 47 A 70 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V 312库存量
剪切带
¥101.4966
¥57.1554
¥55.7542
¥52.771
卷轴
¥52.771
最低: 1
倍数: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 46 A 70 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V 1,046库存量
¥158.313
¥111.9943
最低: 1
倍数: 1
最大: 450
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 99 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V 1,589库存量
¥100.0841
¥69.3142
¥67.913
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 55 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V 380库存量
¥90.4904
¥58.7261
¥55.6638
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 33 A 70 mOhms - 18 V, + 18 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS PQFN88 650V 5,718库存量
剪切带
¥108.8529
¥63.0314
¥62.6133
¥59.89
¥59.2233
卷轴
¥59.2233
最低: 1
倍数: 1
: 3,000
SMD/SMT TDFN-4 1 Channel 650 V 55 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET 60MOHM 1,003库存量
剪切带
¥160.0532
¥100.5813
¥95.2025
卷轴
¥95.2025
最低: 1
倍数: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 900 V 44 A 84 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 88 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V 453库存量
剪切带
¥320.2759
¥241.9443
¥241.7748
¥229.0397
卷轴
¥229.0397
最低: 1
倍数: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 145 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 500 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET 20MOHM 900V 328库存量
¥309.2697
¥219.2765
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 900 V 118 A 28 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 196 nC - 55 C + 175 C 503 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V 794库存量
剪切带
¥106.7059
¥69.7323
¥66.4214
¥66.0033
卷轴
¥66.0033
最低: 1
倍数: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 62 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 121 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V 202库存量
¥237.978
¥167.0818
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 142 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOSFET 900V TO247-4L 20MOHM 450库存量
¥313.575
¥223.0846
最低: 1
倍数: 1
TO-247-4 EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V 68库存量
剪切带
¥241.2776
¥182.9696
¥179.9864
¥163.4432
卷轴
¥163.4432
最低: 1
倍数: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 106 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TOLL 650V 1,364库存量
剪切带
¥104.7171
¥64.0258
¥60.3872
卷轴
¥60.3872
最低: 1
倍数: 1
: 2,000
SMD/SMT PSOF-8 1 Channel 650 V 73 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOSFET 900V TO247-4L 60MOHM 314库存量
¥99.5078
¥69.3933
¥67.9921
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 900 V 46 A 84 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 87 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V 418库存量
剪切带
¥159.895
¥100.4118
¥95.0443
卷轴
¥95.0443
最低: 1
倍数: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 62 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement EliteSiC